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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
UPC8178TK-E2 | BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT FEATURES • Low current consumption : ICC = 1.9 mA TYP. @ VCC = 3.0 V • Supply voltage : VCC = 2.4 to 3.3 V • Excellent isolation : ISL = 40 dB TYP. @ f = 1.0 GHz ISL = 41 dB TYP. @ f = 1.9 GHz ISL = 42 dB TYP. @ f = 2.4 GHz • Power gain : GP = 11.0 dB TYP. @ f = 1.0 GHz GP = 11.0 dB TYP. @ | RENESAS 瑞萨 |   | |
UPC8178TK-E2 | SILICON MMIC LOW CURRENT AMPLIFIER FOR MOBILE COMMUNICATIONS 文件：308.43 Kbytes Page：27 Pages | NEC 瑞萨 | | |
UPC8178TK-E2 | SILICON MMIC LOW CURRENT AMPLIFIER FOR MOBILE COMMUNICATIONS 文件：593.31 Kbytes Page：27 Pages | CEL | | |
BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT FEATURES • Low current consumption : ICC = 1.9 mA TYP. @ VCC = 3.0 V • Supply voltage : VCC = 2.4 to 3.3 V • Excellent isolation : ISL = 40 dB TYP. @ f = 1.0 GHz ISL = 41 dB TYP. @ f = 1.9 GHz ISL = 42 dB TYP. @ f = 2.4 GHz • Power gain : GP = 11.0 dB TYP. @ f = 1.0 GHz GP = 11.0 dB TYP. @ | RENESAS 瑞萨 | | ||
封装/外壳：6-SMD，扁平引线 包装：卷带（TR） 描述：IC RF AMP GP 2.4GHZ 6-MINIMOLD RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 | CEL | | ||
SILICON MMIC LOW CURRENT AMPLIFIER FOR MOBILE COMMUNICATIONS 文件：593.31 Kbytes Page：27 Pages | CEL | | ||
SILICON MMIC LOW CURRENT AMPLIFIER FOR MOBILE COMMUNICATIONS 文件：308.43 Kbytes Page：27 Pages | NEC 瑞萨 | |
UPC8178TK-E2产品属性
- 类型
描述
- 型号
UPC8178TK-E2
- 制造商
California Eastern Laboratories(CEL)
- 功能描述
Si ICs
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
4216 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
NEC |
23+ |
SOT23-6 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
|||
NEC |
25+ |
PBF |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
NEC |
24+ |
SOT-563 |
7326 |
新进库存/原装 |
|||
NEC |
17+ |
SC70-6 |
6200 |
100%原装正品现货 |
|||
NEC |
16+ |
SOT363 |
10000 |
进口原装现货/价格优势! |
|||
CEL |
23+ |
6Minimold |
9000 |
原装正品，支持实单 |
|||
NEC |
0746 |
1004 |
优势货源原装正品 |
||||
RENESAS |
24+ |
SOT463 |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
|||
CEL |
24+ |
原厂原封 |
5000 |
原装正品 |
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2020-2-27UPC8112TB-IC
描述 mPC8112TB是硅单片集成电路，第一频率下转换器设计用于蜂窝/无绳电话接收阶段。该IC组成的混频器和地方放大器。 mPC8112TB功能高阻抗集电极开路输出。 mPC2757TB和mPC2758TB类似的IC可提供低阻抗射极跟随输出。这些结核病后缀及晶片，体积更小比传统T后缀集成电路的封装有助于减少您的系统的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20 GHz的FT NESAT™III硅双极工艺制造。此过程使用氮化硅钝化膜和金电极。这些材料可以从外部污染芯片表面保护防止腐蚀/迁移。因此，该IC具有优良的性能，均匀性和可靠性。 应用
2012-12-14
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