型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Surface mount Silicon Planar Zener Diodes

Features Zener voltage specified at 50µA Low leakage current Low profile package Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Typical Applications Voltage stabilization and regulators (For overvoltage protection – uni- and bi-directional – see TVS diodes SMF series) Commercial grade 1

Diotec

德欧泰克

WASHERS AND NUTS

[KEYSTONE] FIBRE SHOULDER WASHERS HEX MACHINE NUTS NYLON SHOULDER WASHER/BUSHINGS BLIND CAPTIVE NUTS - PRESS FIT METRIC MACHINE NUTS

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Banana Plug To In-Line Banana Jack

文件:40.16 Kbytes Page:1 Pages

POMONA

Pomona Electronics

QUAD 5V RAIL-TO-RAIL PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIER

文件:59.37 Kbytes Page:6 Pages

ALD

QUAD 5V RAIL-TO-RAIL PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIER

文件:59.37 Kbytes Page:6 Pages

ALD

更新时间:2025-12-28 17:02:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TUSONIX
25+
FeedThroughCapacitor
880000
明嘉莱只做原装正品现货
NEC
24+
NA/
4030
原装现货,当天可交货,原型号开票
型号多如繁星 网示冰
2025+
1000
5000
原装进口价格优 请找坤融电子!
Nation
25+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
MOLEX/莫仕
2508+
/
220083
一级代理,原装现货
TE
25+
100
原厂现货渠道
NEC
16+
QFP
2500
进口原装现货/价格优势!
AMP
2447
CONN
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
MOLEX
22+
Connect
20000
公司只有原装 品质保证
F
24+
CDIP
1145
全部原装现货优势产品

UPC4702C数据表相关新闻

  • UPC816G-DIP4T-TG_UTC代理商

    UPC816G-DIP4T-TG_UTC代理商

    2023-3-14
  • UPC817DG-SMD4R-TG_UTC代理商

    UPC817DG-SMD4R-TG_UTC代理商

    2023-2-3
  • UPC324G2-E2-A

    UPC324G2-E2-A

    2022-6-6
  • UPC1093-可调节精密并联稳压器

    描述 该mPC1093可调精密并联稳压器的热稳定性保证。输出电压可 设置之间的任何参考电压(2.495 V)和36 V值由两个外部电阻器。 这些IC可应用于开关稳压器的误差放大器。 特征 •高精度 •低温度系数 •通过两个外部电阻调节输出电压 •低动态阻抗 订购信息 型号 封装 mPC1093J 3针塑料高级督察(至- 92) mPC

    2013-3-13
  • UPC317-3终端正可调稳压器

    描述 mPC317是正电压可调三端稳压器,其中有1.5一个输出电流能力。可以由两个外部电阻设置输出电压1.3 V和30 V之间的任何值。 特点 •超过1.5 A的输出电流 •芯片上的一些保护电路(过电流保护,SOA保护和热关机)。

    2013-1-9
  • UPC8112TB-IC

    描述 mPC8112TB是硅单片集成电路,第一频率下转换器设计用于蜂窝/无绳电话接收阶段。该IC组成的混频器和地方放大器。 mPC8112TB功能高阻抗集电极开路输出。 mPC2757TB和mPC2758TB类似的IC可提供低阻抗射极跟随输出。这些结核病后缀及晶片,体积更小比传统T后缀集成电路的封装有助于减少您的系统的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20 GHz的FT NESAT™III硅双极工艺制造。此过程使用氮化硅钝化膜和金电极。这些材料可以从外部污染芯片表面保护防止腐蚀/迁移。因此,该IC具有优良的性能,均匀性和可靠性。 应用

    2012-12-14