| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
200 V - 1,000 V Three Phase Bridge 9.0 A - 10.0 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery Time 9.0 A - 10.0 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery Time | VMI |   | ||
3310 - 9 mm Square Sealed Panel Control Features ■ Conductive plastic ■ PC board and bushing mount ■ Plastic bushing and plastic shaft ■ Withstands typical industrial washing processes ■ Compact package saves board and panel space ■ Audio taper versions available as special order ■ RoHS compliant versions available* | Bourns 伯恩斯 | | ||
200 V - 1,000 V Three Phase Bridge 9.0 A - 10.0 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery Time 9.0 A - 10.0 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery Time | VMI | | ||
Lockit™ Cable Holders - Arrowhead Mount 文件：75.01 Kbytes Page：1 Pages | Heyco | | ||
28 (7/36) AWG Tinned Copper 文件：407.52 Kbytes Page：4 Pages | ALPHAWIRE | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
BOURNS/伯恩斯 |
24+ |
NA |
2607 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
BOURNS/伯恩斯 |
15+ |
NA |
217 |
||||
ANPEC |
25+ |
TO-252 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
HONEYWELL/霍尼韦尔 |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
BOURNS |
25+ |
DIP6 |
8000 |
只有原装 |
|||
BOURNS |
24+ |
DIP6 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
N/A |
2450+ |
TO252 |
6540 |
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品! |
|||
AP/富鼎 |
SOT-252 |
6454 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
BOURNS |
24+ |
DIP |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
A |
23+ |
SOT-252 |
8400 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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2022-6-6UPC1093-可调节精密并联稳压器
描述 该mPC1093可调精密并联稳压器的热稳定性保证。输出电压可 设置之间的任何参考电压（2.495 V）和36 V值由两个外部电阻器。 这些IC可应用于开关稳压器的误差放大器。 特征 •高精度 •低温度系数 •通过两个外部电阻调节输出电压 •低动态阻抗 订购信息 型号 封装 mPC1093J 3针塑料高级督察（至- 92） mPC
2013-3-13UPC317-3终端正可调稳压器
描述 mPC317是正电压可调三端稳压器，其中有1.5一个输出电流能力。可以由两个外部电阻设置输出电压1.3 V和30 V之间的任何值。 特点 •超过1.5 A的输出电流 •芯片上的一些保护电路（过电流保护，SOA保护和热关机）。
2013-1-9UPC8112TB-IC
描述 mPC8112TB是硅单片集成电路，第一频率下转换器设计用于蜂窝/无绳电话接收阶段。该IC组成的混频器和地方放大器。 mPC8112TB功能高阻抗集电极开路输出。 mPC2757TB和mPC2758TB类似的IC可提供低阻抗射极跟随输出。这些结核病后缀及晶片，体积更小比传统T后缀集成电路的封装有助于减少您的系统的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20 GHz的FT NESAT™III硅双极工艺制造。此过程使用氮化硅钝化膜和金电极。这些材料可以从外部污染芯片表面保护防止腐蚀/迁移。因此，该IC具有优良的性能，均匀性和可靠性。 应用
2012-12-14
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