位置:首页 > IC中文资料第1423页 > UPC3025TJ(AZ)
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Inst, 2 Pr #181c #22 Str BC, PVC Ins E1, OS, Blk PVC Jkt, 300V PLTC ITC CMG Product Description UL Instrumentation, 2 Pair 18+22AWG (7x26+7x30) Bare Copper, PVC Insulation E1 Color Code, Overall Beldfoil® Shield, Black PVC Outer Jacket, PLTC ITC CMG AWM 2464 SUN RES DIR BUR | BELDEN 百通 | |||
Premier Supplier of Electronic Hardware 文件:5.0379 Mbytes Page:60 Pages | ABBATRON | |||
20mm COIN CELL HOLDERS 文件:516.659 Kbytes Page:1 Pages | KEYSTONE Keystone Electronics Corp. | |||
90 MHz Lowpass 文件:57.99 Kbytes Page:3 Pages | KR | |||
KNOB 文件:78.39 Kbytes Page:1 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 |
UPC3025TJ(AZ)产品属性
- 类型
描述
- 型号
UPC3025TJ(AZ)
- 制造商
Renesas Electronics Corporation
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Honeywell(霍尼韦尔) |
24+ |
8215 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
||||
Honeywell |
新 |
14 |
全新原装 货期两周 |
||||
Honeywell(霍尼韦尔) |
2447 |
Barrel |
115000 |
nan一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单 |
|||
SK |
23+ |
8PB |
6500 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
HONEYWELL |
24+ |
con |
10000 |
查现货到京北通宇商城 |
|||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
Honeywell |
2022+ |
10 |
全新原装 货期两周 |
||||
HONEYWELL |
24+ |
con |
35960 |
查现货到京北通宇商城 |
|||
SIWEB |
24+ |
con |
2500 |
优势库存,原装正品 |
|||
HONEYWELL |
25+ |
传感器 |
96 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
UPC3025TJ(AZ)规格书下载地址
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2022-6-6UPB1509GV RENESAS/瑞萨
www.hfxcom.com
2021-12-9UP9616Q
UP9616Q,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-8-7UPC1093-可调节精密并联稳压器
描述 该mPC1093可调精密并联稳压器的热稳定性保证。输出电压可 设置之间的任何参考电压(2.495 V)和36 V值由两个外部电阻器。 这些IC可应用于开关稳压器的误差放大器。 特征 •高精度 •低温度系数 •通过两个外部电阻调节输出电压 •低动态阻抗 订购信息 型号 封装 mPC1093J 3针塑料高级督察(至- 92) mPC
2013-3-13UPC317-3终端正可调稳压器
描述 mPC317是正电压可调三端稳压器,其中有1.5一个输出电流能力。可以由两个外部电阻设置输出电压1.3 V和30 V之间的任何值。 特点 •超过1.5 A的输出电流 •芯片上的一些保护电路(过电流保护,SOA保护和热关机)。
2013-1-9UPC8112TB-IC
描述 mPC8112TB是硅单片集成电路,第一频率下转换器设计用于蜂窝/无绳电话接收阶段。该IC组成的混频器和地方放大器。 mPC8112TB功能高阻抗集电极开路输出。 mPC2757TB和mPC2758TB类似的IC可提供低阻抗射极跟随输出。这些结核病后缀及晶片,体积更小比传统T后缀集成电路的封装有助于减少您的系统的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20 GHz的FT NESAT™III硅双极工艺制造。此过程使用氮化硅钝化膜和金电极。这些材料可以从外部污染芯片表面保护防止腐蚀/迁移。因此,该IC具有优良的性能,均匀性和可靠性。 应用
2012-12-14
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