型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Audio Frequency Amplifier & High Frequency OSC

Features • Audio Frequency Amplifier and High-Frequency OSC • Complement to KSA1015 • Collector-Base Voltage: VCBO = 50 V

Fairchild

仙童半导体

NPN general purpose transistor

DESCRIPTION NPN transistor in a TO-92 (SOT54) plastic package. PNP complement: 2PA1015. FEATURES • Low current (max. 150 mA) • Low voltage (max. 50 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification, e.g. audio amplifier driver stages.

Philips

飞利浦

Silicon NPN Epitaxail Type(for Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications)

Audio Frequency Voltage Amplifier Applications Low Noise Amplifier Applications • High breakdown voltage, high current capability : VCEO = 50 V (min), IC = 150 mA (max) • Excellent linearity of hFE : hFE (2) = 100 (typ.) at VCE = 6 V, IC = 150 mA : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA)

TOSHIBA

东芝

Audio Snake Cable, 4 Pr #22 Str TC, Ind. Shielded & Jacketed, PVDF Jkt,CMP

Product Description Audio Snake Cable, 4 Pair 22 AWG (7 x 30) Tinned Copper, FEP Insulation, Individually Foil Shielded and PVDF Jacketed, Overall PVDF Jacket, Ripcord, CMP

BELDEN

百通

HIGH TEMPERATURE SERIES

文件:253.92 Kbytes Page:1 Pages

ASSUN

更新时间:2025-12-28 20:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MICROCHIP/微芯
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UPC1815G数据表相关新闻

  • UPC324G2-E2-A

    UPC324G2-E2-A

    2022-6-6
  • UPB1509GV RENESAS/瑞萨

    www.hfxcom.com

    2021-12-9
  • UP9616Q

    UP9616Q,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-8-7
  • UPC1093-可调节精密并联稳压器

    描述 该mPC1093可调精密并联稳压器的热稳定性保证。输出电压可 设置之间的任何参考电压(2.495 V)和36 V值由两个外部电阻器。 这些IC可应用于开关稳压器的误差放大器。 特征 •高精度 •低温度系数 •通过两个外部电阻调节输出电压 •低动态阻抗 订购信息 型号 封装 mPC1093J 3针塑料高级督察(至- 92) mPC

    2013-3-13
  • UPC317-3终端正可调稳压器

    描述 mPC317是正电压可调三端稳压器,其中有1.5一个输出电流能力。可以由两个外部电阻设置输出电压1.3 V和30 V之间的任何值。 特点 •超过1.5 A的输出电流 •芯片上的一些保护电路(过电流保护,SOA保护和热关机)。

    2013-1-9
  • UPC8112TB-IC

    描述 mPC8112TB是硅单片集成电路,第一频率下转换器设计用于蜂窝/无绳电话接收阶段。该IC组成的混频器和地方放大器。 mPC8112TB功能高阻抗集电极开路输出。 mPC2757TB和mPC2758TB类似的IC可提供低阻抗射极跟随输出。这些结核病后缀及晶片,体积更小比传统T后缀集成电路的封装有助于减少您的系统的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20 GHz的FT NESAT™III硅双极工艺制造。此过程使用氮化硅钝化膜和金电极。这些材料可以从外部污染芯片表面保护防止腐蚀/迁移。因此,该IC具有优良的性能,均匀性和可靠性。 应用

    2012-12-14