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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
UPC1678

5 V-BIAS, 7.5 dBm OUTPUT, 2.0 GHz WIDEBAND Si MMIC AMPLIFIER

DESCRIPTION The µPC1678G is a silicon monolithic integrated circuit designed as medium output power amplifier for high frequency system applications. Due to +17.5 dBm TYP. output at 2 GHz, this IC is recommendable for transmitter stage amplifier of L BAND wireless communication systems. This IC

NEC

瑞萨

UPC1678

2 GHz MEDIUM POWER BROADBAND SILICON MMIC AMPLIFIER

SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N

NEC

瑞萨

UPC1678

5 V-BIAS, +17.5 dBm OUTPUT, 2.0 GHz WIDEBAND Si MMIC AMPLIFIER

RENESAS

瑞萨

UPC1678G

5 V-BIAS, 7.5 dBm OUTPUT, 2.0 GHz WIDEBAND Si MMIC AMPLIFIER

DESCRIPTION The µPC1678G is a silicon monolithic integrated circuit designed as medium output power amplifier for high frequency system applications. Due to +17.5 dBm TYP. output at 2 GHz, this IC is recommendable for transmitter stage amplifier of L BAND wireless communication systems. This IC

NEC

瑞萨

UPC1678G-E1

2 GHz MEDIUM POWER BROADBAND SILICON MMIC AMPLIFIER

SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N

NEC

瑞萨

UPC1678G-E1

5 V-BIAS, 7.5 dBm OUTPUT, 2.0 GHz WIDEBAND Si MMIC AMPLIFIER

DESCRIPTION The µPC1678G is a silicon monolithic integrated circuit designed as medium output power amplifier for high frequency system applications. Due to +17.5 dBm TYP. output at 2 GHz, this IC is recommendable for transmitter stage amplifier of L BAND wireless communication systems. This IC

NEC

瑞萨

UPC1678G-E2

5 V-BIAS, 7.5 dBm OUTPUT, 2.0 GHz WIDEBAND Si MMIC AMPLIFIER

DESCRIPTION The µPC1678G is a silicon monolithic integrated circuit designed as medium output power amplifier for high frequency system applications. Due to +17.5 dBm TYP. output at 2 GHz, this IC is recommendable for transmitter stage amplifier of L BAND wireless communication systems. This IC

NEC

瑞萨

UPC1678GV

5 V-BIAS, 7.5 dBm OUTPUT, 2.0 GHz WIDEBAND Si MMIC AMPLIFIER

DESCRIPTION The µPC1678G is a silicon monolithic integrated circuit designed as medium output power amplifier for high frequency system applications. Due to +17.5 dBm TYP. output at 2 GHz, this IC is recommendable for transmitter stage amplifier of L BAND wireless communication systems. This IC

NEC

瑞萨

UPC1678GV

BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES · Supply voltage : VCC = 4.5 to 5.5 V · Saturated output power : PO(sat) = +17.5 dBm TYP. @ f = 500 MHz with external inductor · Wideband response : fu = 2.0 GHz TYP. @ 3 dB down below the gain at 0.1 GHz · Power gain : GP = 23 dB TYP. @ f = 500 MHz · Isolation : ISL = 35 dB TYP. @ f

RENESAS

瑞萨

UPC1678GV-E1

BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES · Supply voltage : VCC = 4.5 to 5.5 V · Saturated output power : PO(sat) = +17.5 dBm TYP. @ f = 500 MHz with external inductor · Wideband response : fu = 2.0 GHz TYP. @ 3 dB down below the gain at 0.1 GHz · Power gain : GP = 23 dB TYP. @ f = 500 MHz · Isolation : ISL = 35 dB TYP. @ f

RENESAS

瑞萨

UPC1678GV-E1

2 GHz MEDIUM POWER BROADBAND SILICON MMIC AMPLIFIER

SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N

NEC

瑞萨

UPC1678GV

2 GHz MEDIUM POWER BROADBAND SILICON MMIC AMPLIFIER

文件：340.64 Kbytes Page：7 Pages

CEL

UPC1678GV

2 GHz MEDIUM POWER BROADBAND SILICON MMIC AMPLIFIER

CEL

UPC1678GV-E1

封装/外壳：8-LSSOP（0.126"，3.20mm 宽） 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC RF AMP UHF 1.7GHZ-2GHZ 8SO RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器

CEL

UPC1678GV-E1

2 GHz MEDIUM POWER BROADBAND SILICON MMIC AMPLIFIER

文件：340.64 Kbytes Page：7 Pages

CEL

UPC1678GV-E1-A

封装/外壳：8-LSSOP（0.126"，3.20mm 宽） 包装：卷带（TR） 描述：IC RF AMP UHF 1.7GHZ-2GHZ 8SO RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器

CEL

1678

Crimp and Seal Terminal Kit - 115 Pcs

文件：209.81 Kbytes Page：1 Pages

MULTICOMP

易络盟

1678

Thin Panel Dome Plugs

文件：117.65 Kbytes Page：1 Pages

Heyco

1678

Shorty Plugs

文件：112.72 Kbytes Page：1 Pages

Heyco

1678

Bi-Quinary Counter

文件：708.94 Kbytes Page：12 Pages

Motorola

摩托罗拉

1678N

Thin Panel Dome Plugs

文件：117.65 Kbytes Page：1 Pages

Heyco

UPC1678产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPC1678

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    2 GHz MEDIUM POWER BROADBAND SILICON MMIC AMPLIFIER

UPC1678供应商更多...

更新时间：2025-12-30 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市凌旭科技有限公司
UPC1678G-E1
NEC
2016+
SOP8
2485
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
询价
深圳市纳艾斯科技有限公司
UPC1678GV
NEC
24+
MSOP8
8000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
询价
深圳市益百分电子有限公司
UPC1678
NEC
99+
SOP8
200
全新原装进口自己库存优势
询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司
UPC1678G
NEC
24+
SOIC
251
现货供应
询价
深圳市宏世佳电子科技有限公司
UPC1678G
NEC
2025+
SOP-8
3685
全新原厂原装产品、公司现货销售
询价
深圳市美思瑞电子科技有限公司
UPC1678GV-E1
NEC
22+
MSOP8
12245
现货,原厂原装假一罚十!
询价
深圳市诺美思科技有限公司
UPC1678GV-E1
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
询价
深圳市昌和盛利电子有限公司
UPC1678GV
NEC
NEW
SSOP-8
28610
代理全系列销售, 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
询价
深圳市明嘉莱科技有限公司
UPC1678GV
NEC
25+
SOIC-8
8000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
深圳市亿联芯电子科技有限公司
UPC1678G-E1
NEC
2023+
SOP-8
6895
原厂全新正品旗舰店优势现货
询价

UPC1678芯片相关品牌

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UPC1678参数引脚图相关

UPC1678数据表相关新闻

  • UPC324G2-E2-A

    UPC324G2-E2-A

    2022-6-6

  • UPB1509GV RENESAS/瑞萨

    www.hfxcom.com

    2021-12-9

  • UP9616Q

    UP9616Q,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-8-7

  • UPC1093-可调节精密并联稳压器

    描述 该mPC1093可调精密并联稳压器的热稳定性保证。输出电压可 设置之间的任何参考电压（2.495 V）和36 V值由两个外部电阻器。 这些IC可应用于开关稳压器的误差放大器。 特征 •高精度 •低温度系数 •通过两个外部电阻调节输出电压 •低动态阻抗 订购信息 型号 封装 mPC1093J 3针塑料高级督察（至- 92） mPC

    2013-3-13

  • UPC317-3终端正可调稳压器

    描述 mPC317是正电压可调三端稳压器，其中有1.5一个输出电流能力。可以由两个外部电阻设置输出电压1.3 V和30 V之间的任何值。 特点 •超过1.5 A的输出电流 •芯片上的一些保护电路（过电流保护，SOA保护和热关机）。

    2013-1-9

  • UPC8112TB-IC

    描述 mPC8112TB是硅单片集成电路，第一频率下转换器设计用于蜂窝/无绳电话接收阶段。该IC组成的混频器和地方放大器。 mPC8112TB功能高阻抗集电极开路输出。 mPC2757TB和mPC2758TB类似的IC可提供低阻抗射极跟随输出。这些结核病后缀及晶片，体积更小比传统T后缀集成电路的封装有助于减少您的系统的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20 GHz的FT NESAT™III硅双极工艺制造。此过程使用氮化硅钝化膜和金电极。这些材料可以从外部污染芯片表面保护防止腐蚀/迁移。因此，该IC具有优良的性能，均匀性和可靠性。 应用

    2012-12-14

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