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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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UPC1663G-E1 | DC to VHF WIDEBAND DIFFERENTIAL INPUT AND OUTPUT AMPLIFIER IC [NEC] SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE | NEC 瑞萨 |   | |
UPC1663G-E1 | ULTRA-WIDEBAND DIFFERENTIAL VIDEO AMPLIFIER DESCRIPTION The µPC1663 is a differential input, differential output wideband amplifier IC that uses an high frequency silicon bipolar process. This process improves bandwidth phase characteristics, input noise voltage characteristics, and low power consumption when compared to conventional HF- | NEC 瑞萨 | | |
UPC1663G-E1 | BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT FEATURES • Bandwidth and typical gain : 120 MHz @ AVOL = 300 700 MHz @ AVOL = 10 • Phase delay : –85 deg. @ AVOL = 100, 100 MHz • Input Noise Voltage : 3 mVr.m.s. (RS = 50 W, 10 k to 10 MHz) • Supply Current : 13mA TYP. @ VCC ± = ±6 V • Gain adjustable from 10 to 300 with external resistor | RENESAS 瑞萨 | |
UPC1663G-E1产品属性
- 类型
描述
- 型号
UPC1663G-E1
- 制造商
NEC Electronics Corporation
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
6871 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
NEC |
24+ |
SOP-8 |
8000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
NEC |
1948+ |
SOP8 |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
NEC |
25+23+ |
SOP-8 |
36891 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
NEC |
25+ |
SOP-8 |
65428 |
百分百原装现货 实单必成 |
|||
NEC |
24+ |
SOP8 |
381 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
NEC |
2403+ |
SOP8 |
6489 |
原装现货热卖!十年芯路!坚持! |
|||
NEC |
22+ |
SOP-8 |
2718 |
全新原装现货!自家库存! |
|||
NEC |
24+ |
3.9mm8 |
2259 |
全新现货 |
|||
NEC |
2014+ |
10000 |
公司现货库存 |
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2022-6-6UPB1509GV RENESAS/瑞萨
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2021-12-9UP9616Q
UP9616Q,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-8-7UPC1093-可调节精密并联稳压器
描述 该mPC1093可调精密并联稳压器的热稳定性保证。输出电压可 设置之间的任何参考电压（2.495 V）和36 V值由两个外部电阻器。 这些IC可应用于开关稳压器的误差放大器。 特征 •高精度 •低温度系数 •通过两个外部电阻调节输出电压 •低动态阻抗 订购信息 型号 封装 mPC1093J 3针塑料高级督察（至- 92） mPC
2013-3-13UPC317-3终端正可调稳压器
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2013-1-9UPC8112TB-IC
描述 mPC8112TB是硅单片集成电路，第一频率下转换器设计用于蜂窝/无绳电话接收阶段。该IC组成的混频器和地方放大器。 mPC8112TB功能高阻抗集电极开路输出。 mPC2757TB和mPC2758TB类似的IC可提供低阻抗射极跟随输出。这些结核病后缀及晶片，体积更小比传统T后缀集成电路的封装有助于减少您的系统的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20 GHz的FT NESAT™III硅双极工艺制造。此过程使用氮化硅钝化膜和金电极。这些材料可以从外部污染芯片表面保护防止腐蚀/迁移。因此，该IC具有优良的性能，均匀性和可靠性。 应用
2012-12-14
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