| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Door Retainers Features • Versatile holding settings • High holding force • Low current consumption • Release button and protection circuit • Adjustable damping keeper plate • Protection diodes as standard Benefits • Flexibility in installation • Suitable for large and small fire doors • Requires les | FULLEON |   | ||
Fieldbus, 1 Pr #16 Str TC, PO Ins, OS, PVC Jkt, CMG 文件：257.649 Kbytes Page：3 Pages | BELDEN 百通 | | ||
2.36mm Diameter Standard .093 Pin and Socket Plug Housing, 12 Circuits, 3 Rows 文件：45.82 Kbytes Page：1 Pages | Molex 莫仕 | | ||
2.36mm (.093) Diameter Standard .093 Pin and Socket Plug Housing, 12 Circuits, 3 Rows 文件：171 Kbytes Page：3 Pages | Molex 莫仕 | | ||
2.36mm (.093) Diameter Standard .093 Pin and Socket Plug Housing, 12 Circuits, 3 Rows 文件：171 Kbytes Page：3 Pages | Molex 莫仕 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TE/泰科 |
23+ |
连接器 |
10000 |
原装正品现货 |
|||
136032-104 |
25+ |
240 |
240 |
||||
DELPHI |
2405+ |
n/a |
9845 |
十年芯路!诚信赢客户!合作创未来! |
|||
APTIV |
23+ |
连接器 |
5864 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
|||
TE/泰科 |
23+ |
NA/原装 |
82985 |
代理-优势-原装-正品-现货*期货 |
|||
DELPHI |
25+ |
2019+ |
82610 |
connector |
|||
JRC |
23+ |
DIP |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
MOLEX/莫仕 |
2508+ |
/ |
309575 |
一级代理，原装现货 |
|||
Delphi |
18+ |
9800 |
代理进口原装/实单价格可谈 |
||||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
UPC1360规格书下载地址
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UPC324G2-E2-A
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2022-6-6UPB1509GV RENESAS/瑞萨
www.hfxcom.com
2021-12-9UP9616Q
UP9616Q,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-8-7UPC1093-可调节精密并联稳压器
描述 该mPC1093可调精密并联稳压器的热稳定性保证。输出电压可 设置之间的任何参考电压（2.495 V）和36 V值由两个外部电阻器。 这些IC可应用于开关稳压器的误差放大器。 特征 •高精度 •低温度系数 •通过两个外部电阻调节输出电压 •低动态阻抗 订购信息 型号 封装 mPC1093J 3针塑料高级督察（至- 92） mPC
2013-3-13UPC317-3终端正可调稳压器
描述 mPC317是正电压可调三端稳压器，其中有1.5一个输出电流能力。可以由两个外部电阻设置输出电压1.3 V和30 V之间的任何值。 特点 •超过1.5 A的输出电流 •芯片上的一些保护电路（过电流保护，SOA保护和热关机）。
2013-1-9UPC8112TB-IC
描述 mPC8112TB是硅单片集成电路，第一频率下转换器设计用于蜂窝/无绳电话接收阶段。该IC组成的混频器和地方放大器。 mPC8112TB功能高阻抗集电极开路输出。 mPC2757TB和mPC2758TB类似的IC可提供低阻抗射极跟随输出。这些结核病后缀及晶片，体积更小比传统T后缀集成电路的封装有助于减少您的系统的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20 GHz的FT NESAT™III硅双极工艺制造。此过程使用氮化硅钝化膜和金电极。这些材料可以从外部污染芯片表面保护防止腐蚀/迁移。因此，该IC具有优良的性能，均匀性和可靠性。 应用
2012-12-14
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