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UPC1298V

50 TO 80W POWER AMPLIFIER DRIVER

50 TO 80 W POWER AMPLIFIER DRIVER DESCRIPTION uPc1298V is a intergrated monolithic circuit designed for 50W to 80W class HiFi audio power amplifier and consists of a input differential amplifier, a predriver circuit, a diver circuit and a over current preotection circuit.

NEC

瑞萨

Customer Specification

Construction Diameters (In) 1) Component 1 8 X 1 COND a) Conductor 22 (7/30) AWG Tinned Copper 0.030 b) Insulation 0.010 Wall, Nom. PVC, Semi Rigid 0.050 (1) Color Code Alpha Wire Color Code D Cond Color Cond Color Cond Color 1 BLACK 4 GREEN 7 BROWN 2 RED 5 ORANGE 8 YELLOW 3 WHITE 6 BLUE

ALPHAWIREAlpha Wire

阿尔法电线

Low-Power, 8-Channel, 24-Bit Analog Front-End for Biopotential Measurements

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TI

德州仪器

Low-Power, 8-Channel, 24-Bit Analog Front-End for Biopotential Measurements

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德州仪器

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德州仪器

UPC1298V产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPC1298V

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    50 TO 80W POWER AMPLIFIER DRIVER

更新时间:2025-8-16 10:21:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
24+
26
NEC
23+
DIP
12335
NEC
专业铁帽
34
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货
NEC
24+
ZIP
201
现货供应
NEC
25+
ZIP
54648
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
NEC
2025+
ZIP14
32000
原装正品现货供应商原厂渠道物美价优
NEC
22+
ZIP
12000
只做原装、原厂优势渠道、假一赔十
NEC
23+
SIP-8
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
NEC
24+
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
NEC
23+
SIP-14P
8160
原厂原装

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    UPC324G2-E2-A

    2022-6-6
  • UPB1509GV RENESAS/瑞萨

    www.hfxcom.com

    2021-12-9
  • UP9616Q

    UP9616Q,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-8-7
  • UPC1093-可调节精密并联稳压器

    描述 该mPC1093可调精密并联稳压器的热稳定性保证。输出电压可 设置之间的任何参考电压(2.495 V)和36 V值由两个外部电阻器。 这些IC可应用于开关稳压器的误差放大器。 特征 •高精度 •低温度系数 •通过两个外部电阻调节输出电压 •低动态阻抗 订购信息 型号 封装 mPC1093J 3针塑料高级督察(至- 92) mPC

    2013-3-13
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    描述 mPC317是正电压可调三端稳压器,其中有1.5一个输出电流能力。可以由两个外部电阻设置输出电压1.3 V和30 V之间的任何值。 特点 •超过1.5 A的输出电流 •芯片上的一些保护电路(过电流保护,SOA保护和热关机)。

    2013-1-9
  • UPC8112TB-IC

    描述 mPC8112TB是硅单片集成电路,第一频率下转换器设计用于蜂窝/无绳电话接收阶段。该IC组成的混频器和地方放大器。 mPC8112TB功能高阻抗集电极开路输出。 mPC2757TB和mPC2758TB类似的IC可提供低阻抗射极跟随输出。这些结核病后缀及晶片,体积更小比传统T后缀集成电路的封装有助于减少您的系统的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20 GHz的FT NESAT™III硅双极工艺制造。此过程使用氮化硅钝化膜和金电极。这些材料可以从外部污染芯片表面保护防止腐蚀/迁移。因此,该IC具有优良的性能,均匀性和可靠性。 应用

    2012-12-14