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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
UN600N32TE | N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Advanced Trench Process Technology Low Threshold Voltage Fast Switching Speed Halogen-Free & Lead-Free ESD Protected up to 2.5KV Applications Load Switch for Portable Devices Voltage controlled small signal switch | UNSEMI 优恩半导体 |   | |
UN600N32TE | MOSFET | UNSEMI 优恩半导体 | | |
300A Stud Version Standard Recovery Diode for Generator Exciter Features ※ ThinkiSemi matured process rectifier diodes ※ Low forward voltage drop ※ High current capability/High reverse voltage ※ Low reverse leakage current ※ High surge current capability Application ※ Converters/Power supplies/Machine tool controls ※ Turbo Generators with Brushless Exc | THINKISEMI 思祁半导体 | |
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