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UM2102B

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MICROCHIP

微芯科技

Integrated Circuit NMOS, 1K Static RAM (SRAM), 350ns

Description: The NTE2101 is a high–speed 1024 x 1 bit static random access read/write memory in a 16–Lead DIP type package designed using N–Channel depletion mode silicon gate technology. Static storage cells eliminate the need for clock or refresh circuitry. Low threshold silicon gate N–Cha

NTE

SYSTEM RESET IC

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NJRC

日本无线

SYSTEM RESET IC

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NJRC

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更新时间:2026-5-17 16:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
UNIVERSAL
24+
DIP
3
UMEC
专业模块
MODULE
8513
模块原装主营-可开原型号增税票
UMEC
23+
DIP
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
UMEC
25+
DIP
55000
原厂渠道原装正品假一赔十
松下
2023+
SOT23
50000
原装现货
25+
原厂封装
32500
原装正品,欢迎询价
原厂
2023+
模块
600
专营模块,继电器,公司原装现货

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