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丝印代码:A3;Silicon MMIC amplifier

DESCRIPTION Silicon MMIC amplifier consisting of an NPN double polysilicon transistor with integrated biasing for low voltage applications in a plastic, 4-pin SOT343R package. FEATURES • Low current • Very high power gain • Low noise figure • Integrated temperature compensated biasing • Con

PHILIPS

飞利浦

MICROWAVE POWER TRANSISTORS

The RF Line Microwave Power Transistors Designed primarily for large–signal output and driver amplifier stages in the 1.0 to 2.3 GHz frequency range. • Designed for Class B or C, Common Base Power Amplifiers • Specified 28 Volt, 2.0 GHz Characteristics: Output Power — 1.0 to 20 Watts P

MOTOROLA

摩托罗拉

High Current/Voltage Darlington Drivers

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NSC

国半

High Current/Voltage Darlington Drivers

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High Current/Voltage Darlington Drivers

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国半

ULN2003APGONM产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ULN2003APGONM

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    DARLINGTON DRIVER

更新时间:2026-3-16 16:20:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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35200
一级代理/放心采购

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    NPN 达林顿晶体管 , Quad NPN 达林顿晶体管 , 1 A Darlington Transistors 达林顿晶体管 , 60 V NPN 1 A 达林顿晶体管 , SOT-223-3 达林顿晶体管 , 200 V NPN 达林顿晶体管

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  • ULN2003AFWG(原厂授权中国分销商)

    主要参数: 分立半导体产品 电流 - 集电极(Ic)(最大值): 500mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 50V 电流(最大值): 50μA DC 电流增益(hFE)(最小值): 1000 @ 350mA,2V 功率 - 最大值: 1.25W 工作温度 :-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装:16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

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