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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
UCD90120ARGCT.A	UCD90120A 12-Rail Power Supply Sequencer and Monitor With ACPI Support 1 Features 1• Monitor and Sequence 12 Voltage Rails – All Rails Sampled Every 400 μs – 12-bit ADC With 2.5-V, 0.5% Internal VREF – Sequence Based on Time, Rail and Pin Dependencies – Four Programmable Undervoltage and Overvoltage Thresholds per Monitor • Nonvolatile Error and Peak-Valu	TI 德州仪器	TI
UCD90120	UCD90120 12-Channel Sequencer and System Health Monitor 文件：2.22991 Mbytes Page：40 Pages	TI 德州仪器	TI
90120	C-Grid III Interconnects Description: 2.54mm Pitch C-Grid III Header, Single Row, Vertical, 2 Circuits, Tin (Sn) Plating Application Signal, Wire-to-Board	Molex 莫仕	Molex
90120	DOUBLE ACTIon HAND TOOL 文件：67.36 Kbytes Page：1 Pages	TEC 泰科电子	TEC
C-90120	DOUBLE ACTIon HAND TOOL 文件：67.36 Kbytes Page：1 Pages	TEC 泰科电子	TEC
FXLS90120	Single channel inertial sensor	ETC 知名厂家	ETC

UCD90120ARGCT.A供应商更多...

更新时间：2025-12-28 16:51:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	UCD90120RGCR	TI/德州仪器	24+	NA/	3504	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
深圳市中联芯电子有限公司	UCD90120RGCR	TI	24+	VQFN64	2000	市场最低原装现货假一罚百可开原型号	询价
深圳市赛特兴科技有限公司	UCD90120CRGCR	TI/德州仪器	23+	VQFN-64	2000	正规渠道,只有原装!	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	UCD90120RGCR	TI/德州仪器	25+	VQFN-64	860000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳诚思涵科技有限公司	UCD90120CRGCR	TI/德州仪器	20+	VQFN-64	5000	原厂原装订货诚易通正品现货会员认证企业	询价
深圳市纳立科技有限公司	UCD90120CRGCR	TI	三年内		1983	只做原装正品	询价
深圳航星空电子技术有限公司	UCD90120RGCR	TI	23+	QFN64	3200	公司只做原装，可来电咨询	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	UCD90120RGCR	TI(德州仪器)	2447	VQFN-64(9x9)	105000	2000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,	询价
深圳市威雅利发展有限公司	UCD90120RGCR	TI	13+	QFN	10	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市英科美电子有限公司	UCD90120RGCR	TI/德州仪器	2223+	QFN64	26800	只做原装正品假一赔十为客户做到零风险	询价

UCD4071BG-SOP14R-TG
UCD4071BG-SOP14R-TG
2023-1-30
UCD9080RHBR
产品描述：电源序列发生器和监控器
2022-5-9
UCD90120RGCR 原装现货
UCD90120RGCR 可做含税，支持实单
2021-9-22
UCD90120RGCR 原装现货
UCD90120RGCR 可做含税，支持实单
2021-9-22
UCC5350SBDR
Half-Bridge 门驱动器 , MOSFET Gate Drivers 门驱动器 , High Side, Low Side 门驱动器 , 8 Output High Side 门驱动器 , 15 V 门驱动器 , MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT 门驱动器
2020-7-9
UCC3957M-1-电池管理
UCC3957是一个BiCMOS工艺三个或四个细胞锂离子电池组保护装置的设计工作与外部P沟道MOSFET。利用外部 P沟道MOSFET提供没有好处亏损系统地在过放电状态，保护IC以及不受损坏电池在过充电状态。内部状态机连续运行，保护每一个锂离子电池充电和放电。一个单独的过电流保护块保护电池组过度放电电流。如果任何电池电压超过过压阈值，是打开相应的外部P沟道MOSFET 关闭，防止进一步的充电电流。外部 N沟道MOSFET是需要转移到这个水平高边P沟道MOSFET。放电电流可以仍然流经的第二个P沟道MOSFET。同样，如果任何电池电压低于欠压限制，第二个P沟道MOS
2012-12-29