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精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
UCD90120RGCR	UCD90120 12-Channel Sequencer and System Health Monitor 文件：2.22991 Mbytes Page：40 Pages	TI 德州仪器	TI
UCD90120RGCR	封装/外壳：64-VFQFN 裸露焊盘包装：卷带（TR）描述：IC SUPERVISOR 12 CHANNEL 64VQFN 集成电路（IC）监控器	TI2 德州仪器	TI2
UCD90120	UCD90120 12-Channel Sequencer and System Health Monitor 文件：2.22991 Mbytes Page：40 Pages	TI 德州仪器	TI
UCD90120A	12-Rail Power Supply Sequencer and Monitor with ACPI Support 文件：1.42114 Mbytes Page：43 Pages	TI 德州仪器	TI
90120	DOUBLE ACTIon HAND TOOL 文件：67.36 Kbytes Page：1 Pages	TEC 泰科电子	TEC
C-90120	DOUBLE ACTIon HAND TOOL 文件：67.36 Kbytes Page：1 Pages	TEC 泰科电子	TEC
FXLS90120	Single channel inertial sensor	ETC 知名厂家	ETC

UCD90120RGCR供应商更多...

更新时间：2025-10-2 13:31:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市博中泰实业有限公司	UCD90120RGCR	TI/德州仪器	24+	VQFN-64	60000	全新原装现货	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	UCD90120RGCR	Texas Instruments	24+	VQFN-64	12000	原装正品现货询价有惊喜	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	UCD90120RGCR	TI	23+	QFN64	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司	UCD90120RGCR	TI	2024+	N/A	70000	柒号只做原装现货价秒杀全网	询价
深圳市盈慧通电子有限公司	UCD90120RGCR	TI(德州仪器)	2511	VQFN-64(9x9)	9550	电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	UCD90120RGCR	TI	2450+	QFN64	9850	只做原装正品现货或订货假一赔十!	询价
深圳市中联芯电子有限公司	UCD90120RGCR	TI	24+	VQFN64	2000	市场最低原装现货假一罚百可开原型号	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	UCD90120RGCR	TI	24+	QFN64	6000	只做自己库存全新原装进口正品假一赔百可开13%增	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	UCD90120RGCR		24+	N/A	56000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	UCD90120RGCR	TI(德州仪器)	2447	VQFN-64(9x9)	105000	2000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,	询价

UCD4071BG-SOP14R-TG
UCD4071BG-SOP14R-TG
2023-1-30
UCD9080RHBR
产品描述：电源序列发生器和监控器
2022-5-9
UCD90120RGCR 原装现货
UCD90120RGCR 可做含税，支持实单
2021-9-22
UCD90120RGCR 原装现货
UCD90120RGCR 可做含税，支持实单
2021-9-22
UCC5350SBDR
Half-Bridge 门驱动器 , MOSFET Gate Drivers 门驱动器 , High Side, Low Side 门驱动器 , 8 Output High Side 门驱动器 , 15 V 门驱动器 , MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT 门驱动器
2020-7-9
UCC3957M-1-电池管理
UCC3957是一个BiCMOS工艺三个或四个细胞锂离子电池组保护装置的设计工作与外部P沟道MOSFET。利用外部 P沟道MOSFET提供没有好处亏损系统地在过放电状态，保护IC以及不受损坏电池在过充电状态。内部状态机连续运行，保护每一个锂离子电池充电和放电。一个单独的过电流保护块保护电池组过度放电电流。如果任何电池电压超过过压阈值，是打开相应的外部P沟道MOSFET 关闭，防止进一步的充电电流。外部 N沟道MOSFET是需要转移到这个水平高边P沟道MOSFET。放电电流可以仍然流经的第二个P沟道MOSFET。同样，如果任何电池电压低于欠压限制，第二个P沟道MOS
2012-12-29