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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
UCD90120RGCR	UCD9012012-ChannelSequencerandSystemHealthMonitor 文件：2.22991 Mbytes Page：40 Pages	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司
UCD90120RGCR	封装/外壳：64-VFQFN 裸露焊盘包装：卷带（TR）描述：IC SUPERVISOR 12 CHANNEL 64VQFN 集成电路（IC）监控器	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司
UCD90120	UCD9012012-ChannelSequencerandSystemHealthMonitor 文件：2.22991 Mbytes Page：40 Pages	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司
UCD90120A	12-RailPowerSupplySequencerandMonitorwithACPISupport 文件：1.42114 Mbytes Page：43 Pages	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
90120	DOUBLEACTIonHANDTOOL 文件：67.36 Kbytes Page：1 Pages	TECTE Connectivity Ltd 泰科电子泰科电子有限公司
C-90120	DOUBLEACTIonHANDTOOL 文件：67.36 Kbytes Page：1 Pages	TECTE Connectivity Ltd 泰科电子泰科电子有限公司
FXLS90120	Singlechannelinertialsensor 文件：3.49554 Mbytes Page：247 Pages	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司

UCD90120RGCR供应商更多...

更新时间：2024-4-25 22:30:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市纳艾斯科技有限公司	UCD90120RGCR	TI	2019+	QFN64	6000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	UCD90120RGCR	TI(德州仪器)	23+	VQFN-64(9x9)	9990	原装正品，支持实单	询价
深圳市芯福林电子科技有限公司	UCD90120RGCR	TI/德州仪器	21+	VQFN-64	13880	公司只售原装,支持实单	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	UCD90120RGCR	TI(德州仪器)	23+	VQFN64	9048	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
深圳市恒意法电子有限公司	UCD90120RGCR	Texas Instruments	21+	64-VFQFN 裸露焊盘	1500	正规渠道/品质保证/原装正品现货	询价
深圳好佳好科技有限公司	UCD90120RGCR	TI	1418+	VQFN-64	9500	绝对原装进口现货可开增值税发票	询价
深圳市美思瑞电子科技有限公司	UCD90120RGCR	TI/德州仪器	22+	QFN64	12245	现货,原厂原装假一罚十!	询价
深圳市宏世佳电子科技有限公司	UCD90120RGCR	TI	2023+	VQFN-64	3550	全新原厂原装产品、公司现货销售	询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司	UCD90120RGCR	TI/德州仪器	21+	QFN64	15000	全新原装现货,假一赔十	询价
深圳市芯祺盛科技有限公司	UCD90120RGCR	TI	1144+	QFN64	14	原装库存有订单来谈优势	询价

UCD4071BG-SOP14R-TG
UCD4071BG-SOP14R-TG
2023-1-30
UCD9080RHBR
产品描述：电源序列发生器和监控器
2022-5-9
UCD90120RGCR 原装现货
UCD90120RGCR可做含税，支持实单
2021-9-22
UCD90120RGCR 原装现货
UCD90120RGCR可做含税，支持实单
2021-9-22
UCC5350SBDR
Half-Bridge门驱动器,MOSFETGateDrivers门驱动器,HighSide,LowSide门驱动器,8OutputHighSide门驱动器,15V门驱动器,MOSFETGateDriversHalf-BridgeSMD/SMT门驱动器
2020-7-9
UCC3957M-1-电池管理
UCC3957是一个BiCMOS工艺三个或四个细胞锂离子电池组保护装置的设计工作与外部P沟道MOSFET。利用外部P沟道MOSFET提供没有好处亏损系统地在过放电状态，保护IC以及不受损坏电池在过充电状态。内部状态机连续运行，保护每一个锂离子电池充电和放电。一个单独的过电流保护块保护电池组过度放电电流。如果任何电池电压超过过压阈值，是打开相应的外部P沟道MOSFET关闭，防止进一步的充电电流。外部N沟道MOSFET是需要转移到这个水平高边P沟道MOSFET。放电电流可以仍然流经的第二个P沟道MOSFET。同样，如果任何电池电压低于欠压限制，第二个P沟道MOS
2012-12-29