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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
UCD8620PWPR	DIGITALLY MANAGED PUSH-PULL ANALOG PWM CONTROLLERS 文件：2.46846 Mbytes Page：32 Pages	TI 德州仪器	TI
PM8620	20G Narrowband Switch Element Description The PM8620 NSE-20G is a monolithic CMOS integrated circuit packaged in a 480 ball UBGA that performs DS0 and above granularity space switching on 32 SBI336 streams carried as serial SBI336S in 8B/10B coding over LVDS at 777.6 Mbit/s. The NSE-20G also performs VT1.5/VT2 and above granu	PMC	PMC
KS8620D	1 Chip CODEC for Digital Answering phone 文件：73.54 Kbytes Page：9 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
KS8620N	1 Chip CODEC for Digital Answering phone 文件：73.54 Kbytes Page：9 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
PM8620	NSE-20G??Standard Product Data Sheet Preliminary 文件：1.046089 Mbytes Page：190 Pages	PMC	PMC
PM8620-BIAP	NSE-20G??Standard Product Data Sheet Preliminary 文件：1.046089 Mbytes Page：190 Pages	PMC	PMC

UCD8620PWPR供应商更多...

更新时间：2026-3-15 11:10:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	UCD90120	TI/德州仪器	23+	QFN64	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	UCD8C05L01		24+	N/A	46000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	UCD90120ARGCR	TI(德州仪器)	2447	VQFN-64(9x9)	105000	2000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,	询价
深圳市正纳电子有限公司	UCD90120ARGC	TI(德州仪器)	23+	NA	20094	正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持	询价
深圳市鑫炜纳电子有限公司	UCD90120ARGC	TI(德州仪器)	2022+		8000	原厂原装,假一罚十	询价
深圳市中联芯电子有限公司	UCD90120ARGC	TI(德州仪器)	24+		6000	全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈	询价
深圳市腾亿芯科技有限公司	UCD90120ARGC	TI(德州仪器)	25+	N/A	6000	原装，请咨询	询价
深圳市中飞凌科技有限公司	UCD90120ARGC	TI(德州仪器)	26+	N/A	360000	只有原装可配单	询价
深圳市羿芯诚电子有限公司	UCD90120ARGC	TI/德州仪器	24+	QFN64	1500	只供应原装正品欢迎询价	询价
深圳市迈锐达科技有限公司	UCD90120ARGC	TI	24+	QFN	10000	低于市场价,实单必成,QQ1562321770	询价

UCD4071BG-SOP14R-TG
UCD4071BG-SOP14R-TG
2023-1-30
UCD9080RHBR
产品描述：电源序列发生器和监控器
2022-5-9
UCD90120RGCR 原装现货
UCD90120RGCR 可做含税，支持实单
2021-9-22
UCD90120RGCR 原装现货
UCD90120RGCR 可做含税，支持实单
2021-9-22
UCC5350SBDR
Half-Bridge 门驱动器 , MOSFET Gate Drivers 门驱动器 , High Side, Low Side 门驱动器 , 8 Output High Side 门驱动器 , 15 V 门驱动器 , MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT 门驱动器
2020-7-9
UCC3957M-1-电池管理
UCC3957是一个BiCMOS工艺三个或四个细胞锂离子电池组保护装置的设计工作与外部P沟道MOSFET。利用外部 P沟道MOSFET提供没有好处亏损系统地在过放电状态，保护IC以及不受损坏电池在过充电状态。内部状态机连续运行，保护每一个锂离子电池充电和放电。一个单独的过电流保护块保护电池组过度放电电流。如果任何电池电压超过过压阈值，是打开相应的外部P沟道MOSFET 关闭，防止进一步的充电电流。外部 N沟道MOSFET是需要转移到这个水平高边P沟道MOSFET。放电电流可以仍然流经的第二个P沟道MOSFET。同样，如果任何电池电压低于欠压限制，第二个P沟道MOS
2012-12-29