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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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UCD8620 | DIGITALLYMANAGEDPUSH-PULLANALOGPWMCONTROLLERS 文件：2.46846 Mbytes Page：32 Pages | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 |  |   |
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ChokesDataCommunicationCircuits Generalpurposepulsetransformers. Theseunitscanbeusedincommonapplicationssuchas: •isolating •linecoupling •matching •somecanbeusedascommonmodechokes | FILTRAN FILTRAN Group |  | | |
LEVERACTIONPCCARDEJECTORS [KEYSTONE] LEVERACTIONPCCARDEJECTORS Cardejectorsofferasimpleandreliablewayofinstallingandejectingcircuitboards.Cardejectorsreducethestressonboardconnectorsbyimproperremovalofboard.Ejectorsalsoprotectcomponentsonboardfromdamageduringremovalorinstallati | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 |  | | |
Series2400SourceMeterSMUInstruments 文件：481.98 Kbytes Page：12 Pages | TEKTRONIXTektronix 泰克泰克科技(中国)有限公司 |  | | |
FlyingMagnetCrankTriggerKitChevroletBigBlockV8Engines 文件：109.62 Kbytes Page：2 Pages | MALLORY Mallory Sonalert Products Inc. |  | | |
DataCommunicationCircuits 文件：1.16147 Mbytes Page：2 Pages | APITECH API Technologies Corp |  | |
UCD8620产品属性
- 类型
描述
- 型号
UCD8620
- 制造商
TI
- 制造商全称
Texas Instruments
- 功能描述
DIGITALLY MANAGED PUSH-PULL ANALOG PWM CONTROLLERS
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
YAGEO(国巨) |
23+ |
SOD-882 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
TI/德州仪器 |
2021/2022+ |
NA |
6000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
TI |
22+ |
NA |
4 |
原装正品支持实单 |
|||
TI(德州仪器) |
2022+ |
8000 |
原厂原装,假一罚十 |
||||
TI(德州仪器) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
TI |
21+ |
SOT |
9850 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
TI/德州仪器 |
23+ |
QFN-64 |
15050 |
原厂支持公司优势现货 |
|||
TI |
22+ |
QFN64 |
30000 |
原装正品 |
|||
TI |
21+ |
QFN64 |
39890 |
全新原装现货,假一赔十 |
|||
6000 |
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UCD8620参数引脚图相关
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2023-1-30UCD9080RHBR
产品描述：电源序列发生器和监控器
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2020-7-9UCC3957M-1-电池管理
UCC3957是一个BiCMOS工艺三个或四个细胞锂离子电池组保护装置的设计工作与外部P沟道MOSFET。利用外部P沟道MOSFET提供没有好处亏损系统地在过放电状态，保护IC以及不受损坏电池在过充电状态。内部状态机连续运行，保护每一个锂离子电池充电和放电。一个单独的过电流保护块保护电池组过度放电电流。如果任何电池电压超过过压阈值，是打开相应的外部P沟道MOSFET关闭，防止进一步的充电电流。外部N沟道MOSFET是需要转移到这个水平高边P沟道MOSFET。放电电流可以仍然流经的第二个P沟道MOSFET。同样，如果任何电池电压低于欠压限制，第二个P沟道MOS
2012-12-29
DdatasheetPDF页码索引
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