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UCD8620	DIGITALLY MANAGED PUSH-PULL ANALOG PWM CONTROLLERS 文件：2.46846 Mbytes Page：32 Pages	TI 德州仪器	TI
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PM8620	20G Narrowband Switch Element Description The PM8620 NSE-20G is a monolithic CMOS integrated circuit packaged in a 480 ball UBGA that performs DS0 and above granularity space switching on 32 SBI336 streams carried as serial SBI336S in 8B/10B coding over LVDS at 777.6 Mbit/s. The NSE-20G also performs VT1.5/VT2 and above granu	PMC	PMC
KS8620D	1 Chip CODEC for Digital Answering phone 文件：73.54 Kbytes Page：9 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
KS8620N	1 Chip CODEC for Digital Answering phone 文件：73.54 Kbytes Page：9 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
PM8620	NSE-20G??Standard Product Data Sheet Preliminary 文件：1.046089 Mbytes Page：190 Pages	PMC	PMC
PM8620-BIAP	NSE-20G??Standard Product Data Sheet Preliminary 文件：1.046089 Mbytes Page：190 Pages	PMC	PMC

UCD8620产品属性

类型
描述
型号
UCD8620
制造商
TI
制造商全称
Texas Instruments
功能描述
DIGITALLY MANAGED PUSH-PULL ANALOG PWM CONTROLLERS

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更新时间：2026-3-15 16:36:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市中联芯电子有限公司	UCD90120ARGC	TI(德州仪器)	24+		6000	全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈	询价
深圳诚思涵科技有限公司	UCD90120ARGC	TI	23+	QFN64	5000	全新原装,支持实单,非诚勿扰	询价
深圳航星空电子技术有限公司	UCD90120ARGC	TI	23+	QFN64	3200	公司只做原装，可来电咨询	询价
深圳市创新迹电子有限公司	UCD90120ARGC	TI	22+	QFN64	20000	公司只做原装品质保障	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	UCD90120ARGCR	TI(德州仪器)	2447	VQFN-64(9x9)	105000	2000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,	询价
万三科技(深圳)有限公司	UCD90120ARGC	TI(德州仪器)	25+	封装	500000	源自原厂成本,高价回收工厂呆滞	询价
深圳市凌旭科技有限公司	UCD90120ARGCR	TI	21+	QFN	1159	只做原装,绝对现货,原厂代理商渠道,欢迎电话微信查	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	UCD90120ARGCR	TI	20+	NA	53650	TI原装主营-可开原型号增税票	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	UCD90120ARGC				80000		询价
深圳市乾能惠电子有限公司	UCD90120ARGC	TI/德州仪器	24+	N/A	20000	原厂直供原装正品	询价

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2023-1-30
UCD9080RHBR
产品描述：电源序列发生器和监控器
2022-5-9
UCD90120RGCR 原装现货
UCD90120RGCR 可做含税，支持实单
2021-9-22
UCD90120RGCR 原装现货
UCD90120RGCR 可做含税，支持实单
2021-9-22
UCC5350SBDR
Half-Bridge 门驱动器 , MOSFET Gate Drivers 门驱动器 , High Side, Low Side 门驱动器 , 8 Output High Side 门驱动器 , 15 V 门驱动器 , MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT 门驱动器
2020-7-9
UCC3957M-1-电池管理
UCC3957是一个BiCMOS工艺三个或四个细胞锂离子电池组保护装置的设计工作与外部P沟道MOSFET。利用外部 P沟道MOSFET提供没有好处亏损系统地在过放电状态，保护IC以及不受损坏电池在过充电状态。内部状态机连续运行，保护每一个锂离子电池充电和放电。一个单独的过电流保护块保护电池组过度放电电流。如果任何电池电压超过过压阈值，是打开相应的外部P沟道MOSFET 关闭，防止进一步的充电电流。外部 N沟道MOSFET是需要转移到这个水平高边P沟道MOSFET。放电电流可以仍然流经的第二个P沟道MOSFET。同样，如果任何电池电压低于欠压限制，第二个P沟道MOS
2012-12-29

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