822DP参数引脚图科信电子原装现货专卖KEXIN-IC资料网

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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
822B	Surface Mount Zener Diodes Features ● lat Handling Surface for Accurate Placement ● tandard Zener Breakdown Voltage Range -3.3V to 68V ● ow Profile Package	KEXIN 科信电子	KEXIN
822DP	SLEEK AND SLIM, WITH SOFTLY ROUNDED CORNERS AND GENTLY CURVED ROCKERS, NEXUS COMBINES SUPERIOR QUALITY WITH STUNNING GOOD LOOK SAND EASY INSTALLATION. 10AX PLATE SWITCHES 20A SWITCHES 45A SWITCHES 13 AMP SOCKET OUTLETS ROUND PIN SOCKET OUTLETS 13 AMP FUSED CONNECTION UNITS 13 AMP FUSED CONNECTION UNITS WITH FLEX OUTLET 25 AMP FLEX OUTLET PLATE SHAVER SOCKET CO-AXIAL, SATELLITE AND TRIPLEX OUTLETS TELEPHONE & DATA OUTLETS DIMMERS SURF	BG	BG
822	High-volume Vertical Display Mounting Applications 文件：761.45 Kbytes Page：1 Pages	ARIES	ARIES
822DP	Nexus Moulded Wiring Accessories 文件：56.2 Kbytes Page：1 Pages	BG	BG
822JE	Carbon Composition Molded OD/OF Series (5 Tol.) OA Series (10) 文件：124.92 Kbytes Page：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

UCD822OPWP供应商更多...

更新时间：2025-12-28 8:18:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市云美电子科技有限公司	822E-1C-C-24VDC	SONGCHUAN/松川	24+	DIP	29954	只做原装进口现货	询价
深圳市东来宝电子科技有限公司	822E-1C-C-24VDC	SONGCHUAN/松川	24+	DIP	37279	郑重承诺只做原装进口现货	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	822E-1A-C-12VDC	SONGCHUANG	25+	原厂原封可拆样	64687	百分百原装现货实单必成欢迎询价	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	822E-1A-C-DC24V	SONGCHUANG	23+	DIP	14417	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市一线半导体有限公司	822E	松川	24+	全新原装	4590		询价
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标准国际(香港)有限公司	822E-1C-12VDC	SONG GHUAN	25+		2	公司优势库存热卖中!	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	822E-1C-C-12VDC	SONGCHUAN	2447	SMD	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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深圳市柯尔基电子有限公司	822E-1C-C-12VDC	SongChuan	23+24	DIP7	39820	原装正品优势渠道价格合理.可开13%增值税	询价

UCD4071BG-SOP14R-TG
UCD4071BG-SOP14R-TG
2023-1-30
UCD9080RHBR
产品描述：电源序列发生器和监控器
2022-5-9
UCD90120RGCR 原装现货
UCD90120RGCR 可做含税，支持实单
2021-9-22
UCD90120RGCR 原装现货
UCD90120RGCR 可做含税，支持实单
2021-9-22
UCC5350SBDR
Half-Bridge 门驱动器 , MOSFET Gate Drivers 门驱动器 , High Side, Low Side 门驱动器 , 8 Output High Side 门驱动器 , 15 V 门驱动器 , MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT 门驱动器
2020-7-9
UCC3957M-1-电池管理
UCC3957是一个BiCMOS工艺三个或四个细胞锂离子电池组保护装置的设计工作与外部P沟道MOSFET。利用外部 P沟道MOSFET提供没有好处亏损系统地在过放电状态，保护IC以及不受损坏电池在过充电状态。内部状态机连续运行，保护每一个锂离子电池充电和放电。一个单独的过电流保护块保护电池组过度放电电流。如果任何电池电压超过过压阈值，是打开相应的外部P沟道MOSFET 关闭，防止进一步的充电电流。外部 N沟道MOSFET是需要转移到这个水平高边P沟道MOSFET。放电电流可以仍然流经的第二个P沟道MOSFET。同样，如果任何电池电压低于欠压限制，第二个P沟道MOS
2012-12-29