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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
UCD7201RSA	DigitalControlCompatibleDualLow-Side짰AmpMOSFETDriverswithProgrammableCommonCurrentSense 文件：405.39 Kbytes Page：20 Pages	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司
7201	CurrentSensors SpecialFeatures •Highaccuracy •Coilencapsulatedinplasticcase •Fixedleadspacing	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
7201	T-1SubminiatureLamps T-1SubminiatureLamps T-1SubminiatureShortTypeLamps	GILWAY Gilway Technical Lamp
7201	MALE/FEMALETHREADEDSTANDOFFS [KEYSTONE] MALE/FEMALETHREADEDSTANDOFFS PC104MOUNTINGKITS NYLONSTANDOFFS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
7201	7000SERIES/HIGHRELIABILITYREEDRELAYS 文件：1.39554 Mbytes Page：4 Pages	COTO 科特
7201	Press-fitinterconnectsolutions 文件：697.44 Kbytes Page：3 Pages	LUMBERG Lumberg

类型
描述
型号
UCD7201RSA
制造商
TI
制造商全称
Texas Instruments
功能描述
Digital Control Compatible Dual Low-Side ? Amp MOSFET Drivers with Programmable Common Current Sense

UCD7201RSA供应商更多...

更新时间：2024-4-30 18:26:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	UCD7230ARGWR	TI	20+	NA	53650	TI原装主营-可开原型号增税票	询价
深圳市冠亿通科技有限公司	UCD7230ARGWR	Texas	21+		25000	原厂原包深圳现货主打品牌假一赔百可开票!	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	UCD7230	TI/德州仪器	22+	QFN	3000	一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	UCD7230ARGWR	TI/德州仪器	1922+	QFN	6852	只做原装正品现货!或订货假一赔十!	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	UCD7230ARGWR	TI	2020+	QFN20	114	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳兆威电子有限公司	UCD7230ARGWR	TI/德州仪器	23+	QFN20	90000	只做原厂渠道价格优势可提供技术支持	询价
深圳市毅创弘电子科技有限公司	UCD7230ARGWR	TI	23+	20-VQFN(5x5)	66800	全新更新库存原厂原装现货	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	UCD7230ARGWR	TI	2017+	VQFN-20	65895	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	UCD7230ARGWR	只做原装	21+	QFN20	36520	一级代理/放心采购	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	UCD7230	TI		VQFN\|20	55200	16余年资质绝对原盒原盘更多数量	询价

UCD4071BG-SOP14R-TG
UCD4071BG-SOP14R-TG
2023-1-30
UCD9080RHBR
产品描述：电源序列发生器和监控器
2022-5-9
UCD90120RGCR 原装现货
UCD90120RGCR可做含税，支持实单
2021-9-22
UCD90120RGCR 原装现货
UCD90120RGCR可做含税，支持实单
2021-9-22
UCC5350SBDR
Half-Bridge门驱动器,MOSFETGateDrivers门驱动器,HighSide,LowSide门驱动器,8OutputHighSide门驱动器,15V门驱动器,MOSFETGateDriversHalf-BridgeSMD/SMT门驱动器
2020-7-9
UCC3957M-1-电池管理
UCC3957是一个BiCMOS工艺三个或四个细胞锂离子电池组保护装置的设计工作与外部P沟道MOSFET。利用外部P沟道MOSFET提供没有好处亏损系统地在过放电状态，保护IC以及不受损坏电池在过充电状态。内部状态机连续运行，保护每一个锂离子电池充电和放电。一个单独的过电流保护块保护电池组过度放电电流。如果任何电池电压超过过压阈值，是打开相应的外部P沟道MOSFET关闭，防止进一步的充电电流。外部N沟道MOSFET是需要转移到这个水平高边P沟道MOSFET。放电电流可以仍然流经的第二个P沟道MOSFET。同样，如果任何电池电压低于欠压限制，第二个P沟道MOS
2012-12-29