UCD7138价格

参考价格:¥7.0655

型号:UCD7138DRST 品牌:Texas Instruments 备注:这里有UCD7138多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,UCD7138批发/采购报价,UCD7138行情走势销售排行榜,UCD7138报价。
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UCD7138

4-Aand6-ASingle-ChannelSynchronous-RectifierDriverWithBody-DiodeConductionSensingandReporting

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TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI

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德州仪器美国德州仪器公司

TI

封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘 包装:卷带(TR) 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 6SON 集成电路(IC) 栅极驱动器

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI

封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘 包装:管件 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 6SON 集成电路(IC) 栅极驱动器

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4-Aand6-ASingle-ChannelSynchronous-RectifierDriverWithBody-DiodeConductionSensingandReporting

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TI

ADS7138-Q1Small,8-Channel,12-BitADCWithI2CInterface,GPIOs,andCRC

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TI1Texas Instruments(TI)

德州仪器德州仪器 (TI)

TI1

Small,8-Channel,12-BitADCWithI2CInterface,GPIOs,andCRC

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TI1Texas Instruments(TI)

德州仪器德州仪器 (TI)

TI1

ADS7138-Q1Small,8-Channel,12-BitADCWithI2CInterface,GPIOs,andCRC

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Small,8-Channel,12-BitADCWithI2CInterface,GPIOs,andCRC

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Small,8-Channel,12-BitADCWithI2CInterface,GPIOs,andCRC

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TI1Texas Instruments(TI)

德州仪器德州仪器 (TI)

TI1
更新时间:2024-6-17 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI(德州仪器)
23+
WSON6
7448
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
TI/德州仪器
24+
QFN
990000
明嘉莱只做原装正品现货
TI
2016+
QFP
2585
只做进口原装现货!或者订货,假一赔十!
TI
三年内
1983
纳立只做原装正品13590203865
TI(德州仪器)
23+
DFN6EP(3x3)
6000
诚信服务,绝对原装原盘
TI
21+
QFN
1568
10年芯程,只做原装正品现货,欢迎加微信垂询!
TI
22+
WSON
18000
只做原装,公司现货,提供一站式BOM配单服务!
TI(德州仪器)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
TI/德州仪器
23+
SON-6
6000
水星电子只做原装,支持一站式BOM配单
TI
21+
12588
原装正品,自己库存 假一罚十

UCD7138芯片相关品牌

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    2023-1-30
  • UCD9080RHBR

    产品描述:电源序列发生器和监控器

    2022-5-9
  • UCD90120RGCR 原装现货

    UCD90120RGCR可做含税,支持实单

    2021-9-22
  • UCD90120RGCR 原装现货

    UCD90120RGCR可做含税,支持实单

    2021-9-22
  • UCC5350SBDR

    Half-Bridge门驱动器,MOSFETGateDrivers门驱动器,HighSide,LowSide门驱动器,8OutputHighSide门驱动器,15V门驱动器,MOSFETGateDriversHalf-BridgeSMD/SMT门驱动器

    2020-7-9
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    UCC3957是一个BiCMOS工艺三个或四个细胞锂离子电池组保护装置的设计工作与外部P沟道MOSFET。利用外部P沟道MOSFET提供没有好处亏损系统地在过放电状态,保护IC以及不受损坏电池在过充电状态。内部状态机连续运行,保护每一个锂离子电池充电和放电。一个单独的过电流保护块保护电池组过度放电电流。如果任何电池电压超过过压阈值,是打开相应的外部P沟道MOSFET关闭,防止进一步的充电电流。外部N沟道MOSFET是需要转移到这个水平高边P沟道MOSFET。放电电流可以仍然流经的第二个P沟道MOSFET。同样,如果任何电池电压低于欠压限制,第二个P沟道MOS

    2012-12-29