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UCC5870-Q1 Functional Safety Compliant 15-A Isolated IGBT/SiC MOSFET Gate Driver with Advanced Protection Features for Automotive Applications

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TI

德州仪器

适用于 IGBT/SiC MOSFET 的汽车类 3.75kVrms 30A 单通道功能安全隔离式栅极驱动器

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UCC5870-Q1 Functional Safety Compliant 15-A Isolated IGBT/SiC MOSFET Gate Driver with Advanced Protection Features for Automotive Applications

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德州仪器

封装/外壳:36-BSSOP(0.295",7.50mm 宽) 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:AUTOMOTIVE, FUNCTIONAL SAFETY CO 集成电路(IC) 栅极驱动器

TI

德州仪器

功能:栅极驱动器 包装:散装 描述:UCC5870-Q1 FUNCTIONAL SAFETY COM 开发板,套件,编程器 评估和演示板及套件

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德州仪器

Wide bandwidth analog switch IC

■ Overview The AN5870K is a wide bandwidth analog switch IC of 300 MHz operation. It is usable for RGB signal and horizontal/vertical synchronizing signals, and it has a built-in 75 Ω driver for video signal. In addition, it has also realized a high speed operation by the adoption of CMOS process

Panasonic

松下

Wide bandwidth analog switch IC

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Panasonic

松下

World wide input, and built in PFC AC input, and isolated High-power LED Driver for Illumination

World wide input, and built in PFC AC input, and isolated High-power LED Driver for Illumination

ROHM

罗姆

N-Channel Silicon MOSFET, Schottky Barrier Diode, General-Purpose Switching Device Applications

MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode Features • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package facilitating high-density mounting. • [MOSFET] • Low ON-resistance • Ultrahigh-speed switching • 2.5V driv

SANYO

三洋

Common supply manifold

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FESTOFesto Corporation.

费斯托费斯托(中国)有限公司

更新时间:2025-12-27 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI(德州仪器)
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2000

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    Half-Bridge 门驱动器 , MOSFET Gate Drivers 门驱动器 , High Side, Low Side 门驱动器 , 8 Output High Side 门驱动器 , 15 V 门驱动器 , MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT 门驱动器

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    UCC3957是一个BiCMOS工艺三个或四个细胞 锂离子电池组保护装置的设计工作 与外部P沟道MOSFET。利用外部 P沟道MOSFET提供没有好处 亏损系统地在过放电状态, 保护IC以及不受损坏电池 在过充电状态。内部状态机 连续运行,保护每一个锂离子电池 充电和放电。一个单独的 过电流保护块保护电池组 过度放电电流。 如果任何电池电压超过过压阈值, 是打开相应的外部P沟道MOSFET 关闭,防止进一步的充电电流。外部 N沟道MOSFET是需要转移到这个水平 高边P沟道MOSFET。放电电流可以 仍然流经的第二个P沟道MOSFET。 同样,如果任何电池电压低于欠压 限制,第二个P沟道MOS

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