| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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6 - 20 GHz Amplifier Description Agilent’s AMMC- 5618 6−20 GHz MMIC is an efficient two- stage amplifier designed to be used as a cascadable intermediate gain block for EW applications. In communication systems, it can be used as a LO buffer, or as a transmit driver amplifier. It is fabricated using a PHEMT inte | AVAGO 安华高 |   | ||
6 - 20 GHz Amplifier Description Agilent’s AMMC- 5618 6−20 GHz MMIC is an efficient two- stage amplifier designed to be used as a cascadable intermediate gain block for EW applications. In communication systems, it can be used as a LO buffer, or as a transmit driver amplifier. It is fabricated using a PHEMT inte | HP 安捷伦 | | ||
High Current Chokes 文件：428.21 Kbytes Page：1 Pages | Bourns 伯恩斯 | | ||
High Current Chokes 文件：428.21 Kbytes Page：1 Pages | Bourns 伯恩斯 | | ||
6 - 20 GHz Amplifier 文件：423.6 Kbytes Page：8 Pages | BOARDCOM 博通 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Broadcom Limited |
22+ |
Module |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
Avago(安华高) |
24+ |
N/A |
7568 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
AVAGO/安华高 |
21+ |
CHIP |
120000 |
长期代理优势供应 |
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AVG |
25+ |
QFP |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
|||
AVAGO/安华高 |
2025+ |
CHIP |
2500 |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
|||
AVAGO |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
||||
25+ |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
|||||
AVAGO |
2023+ |
20 |
|||||
AVAGO |
18+ |
SMD |
5 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
Avago(安华高) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
UCC5618DP规格书下载地址
UCC5618DP参数引脚图相关
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UCD4071BG-SOP14R-TG
UCD4071BG-SOP14R-TG
2023-1-30UCD90120RGCR 原装现货
UCD90120RGCR 可做含税，支持实单
2021-9-22UCD90120RGCR 原装现货
UCD90120RGCR 可做含税，支持实单
2021-9-22UCC5350SBDR
Half-Bridge 门驱动器 , MOSFET Gate Drivers 门驱动器 , High Side, Low Side 门驱动器 , 8 Output High Side 门驱动器 , 15 V 门驱动器 , MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT 门驱动器
2020-7-9UCC3957M-1-电池管理
UCC3957是一个BiCMOS工艺三个或四个细胞 锂离子电池组保护装置的设计工作 与外部P沟道MOSFET。利用外部 P沟道MOSFET提供没有好处 亏损系统地在过放电状态， 保护IC以及不受损坏电池 在过充电状态。内部状态机 连续运行，保护每一个锂离子电池 充电和放电。一个单独的 过电流保护块保护电池组 过度放电电流。 如果任何电池电压超过过压阈值， 是打开相应的外部P沟道MOSFET 关闭，防止进一步的充电电流。外部 N沟道MOSFET是需要转移到这个水平 高边P沟道MOSFET。放电电流可以 仍然流经的第二个P沟道MOSFET。 同样，如果任何电池电压低于欠压 限制，第二个P沟道MOS
2012-12-29UCC3952-增强的单节锂离子电池保护IC
特点 •保护敏感的锂离子电池过度充电和过度放电 •专用为一个单元格应用 •集成的低阻抗MOSFET开关及感测电阻 •精密修整的充电和放电电压限制 •极低功耗 •3A电流的能力 •过流和短路保护 •反向充电保护 •热保护 UCC3952是铁板一块的BiCMOS锂离子电池保护电路旨在提高充电的一个单元格的有用的工作寿命电池组。细胞保护功能，包括内部微调限制
2012-12-29
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