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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance • Ultrahigh-speed switching • 1.5V drive • Composite type with 2 MOSFETs contained in the one package, improving the mounting efficiency greatly | SANYO 三洋 |   | ||
N-Channel Power MOSFET Features • Low ON-resistance • Ultrahigh-speed switching • 1.5V drive • Composite type with 2 MOSFETs contained in the one package, improving the mounting efficiency greatly | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance • Ultrahigh-speed switching • 1.5V drive • Composite type with 2 MOSFETs contained in the one package, improving the mounting efficiency greatly | SANYO 三洋 | | ||
Snap Action 5-to-5 Wiring Block Connector - Gray PCT-2-5 文件：149.72 Kbytes Page：1 Pages | Adafruit | | ||
High Current Chokes 文件：428.21 Kbytes Page：1 Pages | Bourns 伯恩斯 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SANYO/三洋 |
23+ |
SOT-153 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
|||
SANYO/三洋 |
24+ |
SOT-153 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
SONY/索尼 |
23+ |
SOT23-5 |
28180 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
原装三洋 |
23+ |
SOT23-5 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
SANYO/三洋 |
23+ |
SOT23-5 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ON Semiconductor |
22+ |
5CPH |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
ONSemiconductor |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
ON |
23+ |
SOT23-5 |
3000 |
正规渠道,只有原装! |
|||
原装三洋 |
24+ |
SOT23-5 |
9000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
UCC5617DPW规格书下载地址
UCC5617DPW参数引脚图相关
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2023-1-30UCD90120RGCR 原装现货
UCD90120RGCR 可做含税，支持实单
2021-9-22UCD90120RGCR 原装现货
UCD90120RGCR 可做含税，支持实单
2021-9-22UCC5350SBDR
Half-Bridge 门驱动器 , MOSFET Gate Drivers 门驱动器 , High Side, Low Side 门驱动器 , 8 Output High Side 门驱动器 , 15 V 门驱动器 , MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT 门驱动器
2020-7-9UCC3957M-1-电池管理
UCC3957是一个BiCMOS工艺三个或四个细胞 锂离子电池组保护装置的设计工作 与外部P沟道MOSFET。利用外部 P沟道MOSFET提供没有好处 亏损系统地在过放电状态， 保护IC以及不受损坏电池 在过充电状态。内部状态机 连续运行，保护每一个锂离子电池 充电和放电。一个单独的 过电流保护块保护电池组 过度放电电流。 如果任何电池电压超过过压阈值， 是打开相应的外部P沟道MOSFET 关闭，防止进一步的充电电流。外部 N沟道MOSFET是需要转移到这个水平 高边P沟道MOSFET。放电电流可以 仍然流经的第二个P沟道MOSFET。 同样，如果任何电池电压低于欠压 限制，第二个P沟道MOS
2012-12-29UCC3952-增强的单节锂离子电池保护IC
特点 •保护敏感的锂离子电池过度充电和过度放电 •专用为一个单元格应用 •集成的低阻抗MOSFET开关及感测电阻 •精密修整的充电和放电电压限制 •极低功耗 •3A电流的能力 •过流和短路保护 •反向充电保护 •热保护 UCC3952是铁板一块的BiCMOS锂离子电池保护电路旨在提高充电的一个单元格的有用的工作寿命电池组。细胞保护功能，包括内部微调限制
2012-12-29
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