型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF479isDesignedfor12.5VFMLarge-SignalAmplifierApplicationsto50MHz. | ASI Advanced Semiconductor | |||
SiliconPINDiodes Features •Widefrequencyrange10MHzto1GHz •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21definition Applications •CurrentcontrolledHFresistanceinadjustableattenuators | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | |||
SiliconPINDiodes Features •Widefrequencyrange10MHzto1GHz •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21definition Applications •CurrentcontrolledHFresistanceinadjustableattenuators | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | |||
RFPINDiodes-SingleinDO-35(DO-204AH) FEATURES •Widefrequencyrange10MHzto1GHz •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •CurrentcontrolledHFresistanceinadjustable attenuators MECHANICALDATA Case:DO-35(DO-204AH) Weight:approx.125mg Cathod | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | |||
RFPINDiodes-SingleinDO-35 文件:104.1 Kbytes Page:4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
NA |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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德络丰根 |
25+ |
31 |
原装正品,假一罚十! |
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Vishay General Semiconductor - |
24+ |
DO-204AH,DO-35,轴向 |
30000 |
二极管-分立半导体产品-原装正品 |
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TFK |
24+/25+ |
263 |
原装正品现货库存价优 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
DO-35 |
170000 |
只做原装,欢迎询价,量大价优 |
|||
Vishay |
NA |
16355 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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TFK |
23+ |
NA |
566 |
专做原装正品,假一罚百! |
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VISHAY/威世 |
14+ |
DO-35 |
170000 |
原装现货支持BOM配单服务 |
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VISHA |
2020+ |
DO-35 |
20000 |
原装现货,优势渠道订货假一赔十 |
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VISHAY/威世 |
21+ |
DO-35 |
5590 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
U479BAFP规格书下载地址
U479BAFP参数引脚图相关
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2022-6-16U5379-01001Q-002BC
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2022-6-16U1825DW-高速PWM控制器
高频PWM控制ICUC1825系列最适合开关电源应用。特别注意通过比较,以最大限度地减少传播延迟和逻辑电路,同时最大限度地提高带宽和压摆率误差放大器。该控制器是专为使用在任一电流输入电压能力的模式或电压模式系统馈。保护电路包括电流限制比较器与一个1V门槛,一个TTL兼容关机端口,和一个软启动引脚这将增加一倍,作为最大占空比钳位。这种逻辑是完全提供抖动的自由运作,并禁止多个脉冲锁存输出。与为800mV的滞后欠压锁定部分保证低启动电流。在欠压锁定,输出高阻抗。这些器件具有图腾柱输出源和设计沉高容性负载的峰值电流,如门,功率MOSFET。对国家是一个高层次的设计。
2012-11-24
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