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U479B-MFPY	AutomotiveLamp-outageMonitorIC 文件：184.01 Kbytes Page：7 Pages	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
U479B-MFPY	封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）包装：卷带（TR）描述：IC LAMP OUTAGE CNTRL 8SO 集成电路（IC）照明，镇流器控制器	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
ASIMRF479	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF479isDesignedfor12.5VFMLarge-SignalAmplifierApplicationsto50MHz.	ASI Advanced Semiconductor, Inc
BA479	SiliconPINDiodes Features •Widefrequencyrange10MHzto1GHz •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21definition Applications •CurrentcontrolledHFresistanceinadjustableattenuators	VishayVishay Siliconix 威世科技
BA479G	SiliconPINDiodes Features •Widefrequencyrange10MHzto1GHz •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21definition Applications •CurrentcontrolledHFresistanceinadjustableattenuators	VishayVishay Siliconix 威世科技
BA479G	RFPINDiodes-SingleinDO-35(DO-204AH) FEATURES •Widefrequencyrange10MHzto1GHz •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •CurrentcontrolledHFresistanceinadjustable attenuators MECHANICALDATA Case:DO-35(DO-204AH) Weight:approx.125mg Cathod	VishayVishay Siliconix 威世科技
BA479G	RFPINDiodes-SingleinDO-35 文件：104.1 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技

U479B-MFPY产品属性

类型
描述
型号
U479B-MFPY
功能描述
射频无线杂项 LOM
RoHS
否
制造商
Texas Instruments
工作频率
112 kHz to 205 kHz
电源电压-最大
3.6 V
电源电压-最小
3 V
电源电流
8 mA
工作温度范围
- 40 C to + 110 C
封装/箱体
VQFN-48
封装
Reel

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更新时间：2024-5-1 16:26:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市特顺芯科技有限公司	U479B-MY	ATM			2394		询价
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	U4809B	TEMIC	23+	SSOP	5000	原装正品,假一罚十	询价
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万三科技(深圳)有限公司	U479B-MFPY	微芯/爱特梅尔	22+	NA	500000	万三科技,秉承原装,购芯无忧	询价
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高频PWM控制ICUC1825系列最适合开关电源应用。特别注意通过比较，以最大限度地减少传播延迟和逻辑电路，同时最大限度地提高带宽和压摆率误差放大器。该控制器是专为使用在任一电流输入电压能力的模式或电压模式系统馈。保护电路包括电流限制比较器与一个1V门槛，一个TTL兼容关机端口，和一个软启动引脚这将增加一倍，作为最大占空比钳位。这种逻辑是完全提供抖动的自由运作，并禁止多个脉冲锁存输出。与为800mV的滞后欠压锁定部分保证低启动电流。在欠压锁定，输出高阻抗。这些器件具有图腾柱输出源和设计沉高容性负载的峰值电流，如门，功率MOSFET。对国家是一个高层次的设计。
2012-11-24

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