位置:首页 > IC中文资料第4491页 > U4446
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Description The ACE4446B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The source leads are separated to allow a kelvin connection to the source, which may be used to bypass the source ind | ACE | |||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4446 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance. This device is ideally suited for use in PWM applications. Standard Product AO4446 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4446L is a Green Produ | AOSMD 万国半导体 | |||
N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 15 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) | KEXIN 科信电子 | |||
Adafruit eInk Feather Friend with 32KB SRAM 文件:2.6837 Mbytes Page:3 Pages | Adafruit | |||
30V N-Channel MOSFET 文件:171.76 Kbytes Page:4 Pages | AOSMD 万国半导体 |
U4446产品属性
- 类型
描述
- 型号
U4446
- 制造商
APEM
- 功能描述
Switch Hardware
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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AOS |
1822+ |
SOP-8 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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AOS |
23+ |
SOP8 |
12800 |
公司只有原装 欢迎来电咨询。 |
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AOS |
23+ |
SOP8 |
28000 |
原装正品 |
|||
AOS(万代) |
24+ |
标准封装 |
7372 |
我们只是原厂的搬运工 |
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AOS |
25+23+ |
SOP8 |
17256 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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ALPHA |
24+ |
SOP8 |
2900 |
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AOSMD |
22+ |
SOP-8 |
8200 |
原装现货库存.价格优势!! |
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AOS/万代 |
2019+ |
SOP8 |
3333 |
原厂渠道 可含税出货 |
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ALPHA |
24+ |
09 |
37279 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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AOS |
24+ |
SOP8 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
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U4446数据表相关新闻
U5601-000205-500PA
优势渠道
2023-9-19U4082BG-SOP28R-1TW0G_UTC代理商
U4082BG-SOP28R-1TW0G_UTC代理商
2023-3-16U2429G-SOP8R-TG_UTC代理商
U2429G-SOP8R-TG_UTC代理商
2023-2-13U5375-H20004-002BC
U5375-H20004-002BC
2022-6-16U5379-01001Q-002BC
U5379-01001Q-002BC
2022-6-16U1825DW-高速PWM控制器
高频PWM控制IC UC1825系列最适合开关电源应用。特别注意通过比较,以最大限度地减少传播延迟和逻辑电路,同时最大限度地提高带宽和压摆率误差放大器。该控制器是专为使用在任一电流输入电压能力的模式或电压模式系统馈。保护电路包括电流限制比较器与一个1V门槛,一个TTL兼容关机端口,和一个软启动引脚这将增加一倍,作为最大占空比钳位。这种逻辑是完全提供抖动的自由运作,并禁止多个脉冲锁存输出。与为800mV的滞后欠压锁定部分保证低启动电流。在欠压锁定,输出高阻抗。这些器件具有图腾柱输出源和设计沉高容性负载的峰值电流,如门,功率MOSFET。对国家是一个高层次的设计。
2012-11-24
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