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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
MGSF1N02EL	N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET Part of the GreenLine™ Portfolio of devices with energy–conserving traits. These miniature surface mount MOSFETs utilize Motorola’s High Cell Density, HDTMOS process. Low rDS(on) assures minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in space sensitive power management	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MTDF1N02HD	DUAL TMOS POWER MOSFET 1.7 AMPERES 20 VOLTS RDS(on) = 0.120 OHM Medium Power Surface Mount Products TMOS Dual N-Channel Field Effect Transistor Micro8™ devices are an advanced series of power MOSFETs which utilize Motorola’s High Cell Density HDTMOS process to achieve lowest possible on–resistance per silicon area. They are capable of withstanding high energ	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MGSF1N02L	Power MOSFET 文件：160.41 Kbytes Page：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MTDF1N02HD	Power MOSFET 文件：303.04 Kbytes Page：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MVGSF1N02L	Power MOSFET 文件：160.41 Kbytes Page：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

U1N02供应商更多...

更新时间：2025-12-26 23:01:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	MGSF1N02ELT1G	ON/安森美	24+	NA/	3000	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市凌旭科技有限公司	MGSF1N02ELT1	ON	2016+	SOT-23	3000	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
深圳市威雅利发展有限公司	MGSF1N02ELT1	ON	0526+	SOT-23	3000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	MGSF1N02ELT1G	ON/安森美	24+	SOT-23	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	MGSF1N02ELT1G	ON/安森美	25+	SOT-23	37062	ON/安森美全新特价MGSF1N02ELT1G即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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深圳市毅创腾电子科技有限公司	MGSF1N02ELT1	MOT	23+	SOT-23	5500	现货,全新原装	询价
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深圳市振宏微科技有限公司	MGSF1N02ELT1	SOT-23	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价

U4082BG-SOP28R-1TW0G_UTC代理商
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2023-3-16
U2429G-SOP8R-TG_UTC代理商
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2023-2-13
U5375-H20004-002BC
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2022-6-16
TZMC5V6-GS08，电阻，电容，电感，滤波器，二极管，三极管，发光管，LED，一站式配齐，兴中扬电子
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2019-12-2
U.FL-LP-N-2(01)
深圳科雨电子有限公司，联系人：卢小姐手机：18975515225 原装正品大量现货，有需要的可以联系我 QQ:97877805 微信：wei555222777
2019-5-17
U1825DW-高速PWM控制器
高频PWM控制IC UC1825系列最适合开关电源应用。特别注意通过比较，以最大限度地减少传播延迟和逻辑电路，同时最大限度地提高带宽和压摆率误差放大器。该控制器是专为使用在任一电流输入电压能力的模式或电压模式系统馈。保护电路包括电流限制比较器与一个1V门槛，一个TTL兼容关机端口，和一个软启动引脚这将增加一倍，作为最大占空比钳位。这种逻辑是完全提供抖动的自由运作，并禁止多个脉冲锁存输出。与为800mV的滞后欠压锁定部分保证低启动电流。在欠压锁定，输出高阻抗。这些器件具有图腾柱输出源和设计沉高容性负载的峰值电流，如门，功率MOSFET。对国家是一个高层次的设计。
2012-11-24