位置:首页 > IC中文资料第3027页 > U1897_Q
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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RF & MICROWAVE TRANSISTORS 1.65 GHz SATCOM APPLICATIONS DESCRIPTION The SD1897 is a 28 V Class C silicon NPN transistor designed for INMARSAT and other 1.65 GHz SATCOM applications. A gold metallized emitter ballasted die geometry is employed providing high gain and efficiency while ensuring long term re liability and ruggedness under severe oper | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |||
Customer Specification Construction Diameters (In) 1) Component 1 2 X 1 COND a) Conductor 18 (16/30) AWG Tinned Copper 0.047 b) Insulation 0.016 Wall, Nom. PVC 0.079 (1) Color Code Alpha Wire Color Code D Cond Color Cond Color Cond Color 1 BLACK 2 RED 2) Cable Assembly 2 Components Cabled a) Twists: 5.3 Twists/ | ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线 | |||
LOW-VOLTAGE, HIGH-SENSITIVITY HALL EFFECT LATCH SWITCH Features Latch Operation High Sensitivity: Bop and Brp of ±7 Gauss and ±18 Gauss Open-Drain Output 2.4V to 5.5V Operating Voltage Range Chopper Stabilized Design Provides Superior Temperature Stability Minimal Switch Point Drift Enhanced Immunity to Stress Good RF Noise | DIODES 美台半导体 | |||
HIGH SENSITIVITY MICROPOWER OMNIPLOAR HALL-EFFECT SWITCH 文件:296.36 Kbytes Page:8 Pages | DIODES 美台半导体 | |||
In the past few years, many consumer products have been provided 文件:392.7 Kbytes Page:17 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |
U1897_Q产品属性
- 类型
描述
- 型号
U1897_Q
- 功能描述
JFET NFET/S
- RoHS
否
- 制造商
ON Semiconductor
- 晶体管极性
N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的
- Idss)
50 mA 漏源电压
- VDS
15 V
- 漏极连续电流
50 mA
- 封装/箱体
SC-59
- 封装
Reel
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TE Connectivity(美国泰科) |
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WEIDMULLER |
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TE/泰科 |
24+ |
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5000 |
原装,正品 |
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TE Connectivity |
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10000 |
全新、原装 |
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TE/泰科 |
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U1897_Q规格书下载地址
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2019-12-2U.FL-LP-N-2(01)
深圳科雨电子有限公司,联系人:卢小姐 手机:18975515225 原装正品 大量现货,有需要的可以联系我 QQ:97877805 微信:wei555222777
2019-5-17U1825DW-高速PWM控制器
高频PWM控制IC UC1825系列最适合开关电源应用。特别注意通过比较,以最大限度地减少传播延迟和逻辑电路,同时最大限度地提高带宽和压摆率误差放大器。该控制器是专为使用在任一电流输入电压能力的模式或电压模式系统馈。保护电路包括电流限制比较器与一个1V门槛,一个TTL兼容关机端口,和一个软启动引脚这将增加一倍,作为最大占空比钳位。这种逻辑是完全提供抖动的自由运作,并禁止多个脉冲锁存输出。与为800mV的滞后欠压锁定部分保证低启动电流。在欠压锁定,输出高阻抗。这些器件具有图腾柱输出源和设计沉高容性负载的峰值电流,如门,功率MOSFET。对国家是一个高层次的设计。
2012-11-24
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