| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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n-channel JFETs • Analog Switches • Choppers • Commutators | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | ||
n-channel JFETs • Analog Switches • Choppers • Commutators | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
P-CHANNEL JFET GENERAL INFORMATION/CROSS REFERENCES | INTERSIL | | ||
n-channel JFETs • Analog Switches • Choppers • Commutators | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
JFET N-CH 40V 0.625W TO92 | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel JFET Switch 文件：67.11 Kbytes Page：2 Pages | INTERSIL | | ||
N-Channel JFET Switch 文件：67.11 Kbytes Page：2 Pages | INTERSIL | | ||
N-Channel Switch 文件：26.57 Kbytes Page：3 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | | ||
封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 包装：散装 描述：JFET N-CH 40V 0.625W TO92 分立半导体产品 晶体管 - JFET | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线 包装：散装 描述：JFET N-CH 40V 0.625W TO92 分立半导体产品 晶体管 - JFET | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-CHANNEL JFET | RENESAS 瑞萨 | | ||
N-Channel JFET Switch 文件：67.11 Kbytes Page：2 Pages | INTERSIL | | ||
GaAlAs Infrared Light Emitting Diode GaAlAs Infrared Light Emitting Diode Light source for distance measuring systems Features ● High-power output, high-efficiency : PO = 5.5 mW (typ.) ● Fast response and high-speed modulation capability : tr, tf = 20 ns (typ.) ● Infrared light emission close to monochromatic light : λP = 880 nm | PANASONIC 松下 | | ||
GaAlAs Infrared Light Emitting Diode GaAlAs Infrared Light Emitting Diode Light source for distance measuring systems ■ Features • High-power output, high-efficiency: PO = 5.5 mW (typ.) • Fast response and high-speed modulation capability: tr, tf = 20 ns (typ.) • Infrared light emission close to monochromatic light: λP = 880 nm | PANASONIC 松下 | | ||
GaAlAs Infrared Light Emitting Diode GaAlAs Infrared Light Emitting Diode Light source for distance measuring systems Features ● High-power output, high-efficiency : PO = 5.5 mW (typ.) ● Fast response and high-speed modulation capability : tr, tf =20 ns (typ.) ● Infrared light emission close to monochromatic light : λP = 880 nm( | PANASONIC 松下 | | ||
Silicon Complementary Transistors High Voltage Amplifier & Driver Description: The NTE188 (NPN) and NTE189 (PNP) are complementary silicon transistors in a TO202N type package designed for general purpose, high voltage amplifier and driver applications. Features: • High Collector–Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO = 80V @ IC = 1mA • High Power Dis | NTE | | ||
HIGH ENERGY SPARK GAP DEVICES DESCRIPTION CP Clare’s TG Legacy Series of two electrode sparkgaps excel in applications that require the efficient transfer of high voltage, high energy pulses and DC overvoltage protection for magnetrons, diodes, capacitors, etc. The TG Legacy Series also includes three electrode triggered sp | CLARE Clare, Inc. | |
U189产品属性
- 类型
描述
- 电压 - 击穿（V（BR）GSS）：
40V
- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：
30mA @ 20V
- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：
5V @ 1nA
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
16pF @ 20V
- 电阻 - RDS（开）：
30 Ohms
- 功率 - 最大值：
625mW
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
- 供应商器件封装：
TO-92-3
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
22+ |
TO-3P |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
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FSC |
03+ |
TO-3P |
85 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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FSC |
23+ |
TO-3P |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
FSC |
23+ |
TO-3P |
85 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
U189规格书下载地址
U189参数引脚图相关
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- U1GWJ44
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- U18J1V3GE2
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2019-12-2U.FL-LP-N-2(01)
深圳科雨电子有限公司，联系人：卢小姐 手机：18975515225 原装正品 大量现货，有需要的可以联系我 QQ:97877805 微信：wei555222777
2019-5-17U1825DW-高速PWM控制器
高频PWM控制IC UC1825系列最适合开关电源应用。特别注意通过比较，以最大限度地减少传播延迟和逻辑电路，同时最大限度地提高带宽和压摆率误差放大器。该控制器是专为使用在任一电流输入电压能力的模式或电压模式系统馈。保护电路包括电流限制比较器与一个1V门槛，一个TTL兼容关机端口，和一个软启动引脚这将增加一倍，作为最大占空比钳位。这种逻辑是完全提供抖动的自由运作，并禁止多个脉冲锁存输出。与为800mV的滞后欠压锁定部分保证低启动电流。在欠压锁定，输出高阻抗。这些器件具有图腾柱输出源和设计沉高容性负载的峰值电流，如门，功率MOSFET。对国家是一个高层次的设计。
2012-11-24
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