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TRS8E65H中文资料

厂家型号

TRS8E65H

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7

功能描述

SiC Schottky Barrier Diode

数据手册

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生产厂商

TOSHIBA

TRS8E65H数据手册规格书PDF详情

Applications

• Power Factor Correction

• Solar Inverters

• Uninterruptible Power Supplies

• DC-DC Converters

Features

(1) Chip design of 3rd generation

(2) Low forward voltage : VF = 1.2 V (typ.)

(3) Low total capacitive charge: Qc = 22 nC (typ.)

(4) Low reverse current: IR = 1.5 μA (typ.)

更新时间:2025-11-25 15:22:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Toshiba
23+
TO-247
3268
东芝全系列原厂正品现货
FERRAZ/罗兰熔断器
23+
标准封装
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
TE/泰科
2508+
/
295898
一级代理,原装现货
TE/泰科
23+
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
TE Connectivity
2022+
1
全新原装 货期两周