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TPN4R712MD中文资料

厂家型号

TPN4R712MD

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751.64Kbytes

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9

功能描述

MOSFETs Silicon P-Channel MOS

数据手册

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生产厂商

TOSHIBA

TPN4R712MD数据手册规格书PDF详情

Applications

• Lithium-Ion Secondary Batteries

• Power Management Switches

Features

(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.8 mΩ (typ.) (VGS = -4.5 V)

(2) Low leakage current: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -20 V)

(3) Enhancement mode: Vth = -0.5 to -1.2 V (VDS = -10 V, ID = -1.0 mA)

更新时间:2025-12-2 15:33:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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TPN4R712MD,L1Q 价格

参考价格:¥1.6694

型号:TPN4R712MD,L1Q 品牌:Toshiba Semiconductor an 备注:这里有TPN4R712MD多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,TPN4R712MD批发/采购报价,TPN4R712MD行情走势销售排排榜,TPN4R712MD报价。