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TPHR9003NC中文资料

厂家型号

TPHR9003NC

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255.72Kbytes

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9

功能描述

MOSFETs Silicon N-channel MOS

数据手册

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生产厂商

TOSHIBA

TPHR9003NC数据手册规格书PDF详情

Applications

• ORing Circuits

• Power Management Switches

Features

(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.1 mΩ (typ.) (VGS = 4.5 V)

(2) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V)

(3) Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)

更新时间:2025-10-12 14:14:00
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