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厂家型号	TPC8209
文件大小	312.48Kbytes
页面数量	7页
功能描述	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS II) TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type(U−MOS II)
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	TOSHIBA

Lithium Ion Battery Applications

Portable Equipment Applications

Notebook PC Applications

● Small footprint due to small and thin package

● Low drain−source ON resistance: RDS (ON) = 30 mΩ (typ.)

● High forward transfer admittance: |Yfs| = 10 S (typ.)

● Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 30 V)

● Enhancement−mode: Vth = 1.3 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

TPC8209供应商...

更新时间：2026-2-4 17:02:00

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