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芯片资料

精确

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Features

(1) ESD(HBM) level 2 kV

(2) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V)

RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V)

Applications

• High-Speed Switching

T2N7002BK供应商...

更新时间：2025-10-8 14:14:00

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