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芯片资料

精确

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Features

(1) 1.2 V drive

(2) ESD(HBM) level 2 kV

(3) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 3.2 Ω (typ.) (@VGS = -1.2 V)

RDS(ON) = 2.3 Ω (typ.) (@VGS = -1.5 V)

RDS(ON) = 2.0 Ω (typ.) (@VGS = -1.8 V)

RDS(ON) = 1.5 Ω (typ.) (@VGS = -2.5 V)

RDS(ON) = 1.1 Ω (typ.) (@VGS = -4.5 V)

Applications

• Analog Switches

SSM6P35AFU供应商...

更新时间：2025-10-17 16:39:00

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