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RN2611中文资料

RN2611
厂家型号

RN2611
文件大小

174.29Kbytes
页面数量

6页
功能描述

Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

Silicon PNP Epitaxial Type(PCT Process)
数据手册

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生产厂商

TOSHIBA

相近规格书

RN2611产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RN2611

  • 制造商

    TOSHIBA

  • 制造商全称

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述

    Silicon PNP Epitaxial Type(PCT Process)

RN2611供应商...

更新时间：2026-2-6 16:40:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市拓亿芯电子有限公司
RN2611
TOSHIBA
25+
SOT163
30000
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深圳市莱克讯科技有限公司
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深圳市赛美科科技有限公司
RN2611/YM
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SOT-163
68500
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上海金庆电子技术有限公司
RN2611
TOSHIBA
00+
SOT163
3015
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洪芯国际半导体（深圳）有限公司
RN2611/YM
Toshiba
26+
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全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔
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深圳市创新迹电子有限公司
RN2611
TOSHIBA
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SOT163
20000
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TOSHIBA/东芝
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深圳市晨豪科技有限公司
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TOSHIBA/东芝
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SOT23-6
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RN2611超小型管
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
RN2611YM
TOSHIBA/东芝
23+
Sot-163
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
询价

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RN2611 芯片相关型号

RN2611 晶体管资料

  • RN2611别名：RN2611三极管、RN2611晶体管、RN2611晶体三极管

  • RN2611生产厂家：日本东芝公司

  • RN2611制作材料：Si-P+R

  • RN2611性质：表面帖装型 （SMD）_差分放大器射极输出 （Dual）

  • RN2611封装形式：贴片封装

  • RN2611极限工作电压：50V

  • RN2611最大电流允许值：0.8A

  • RN2611最大工作频率：<1MHZ或未知

  • RN2611引脚数：6

  • RN2611最大耗散功率：0.3W

  • RN2611放大倍数：

  • RN2611图片代号：H-23

  • RN2611vtest：50

  • RN2611htest：999900

  • RN2611atest：0.8

  • RN2611wtest：0.3

  • RN2611代换 RN2611用什么型号代替：

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