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K4A60DA中文资料

厂家型号

K4A60DA

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6

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

数据手册

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生产厂商

TOSHIBA

K4A60DA数据手册规格书PDF详情

Switching Regulator Applications

• Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.7 Ω (typ.)

• High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 2.2 S (typ.)

• Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 600 V)

• Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

更新时间:2025-8-10 9:09:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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