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K4110中文资料

厂家型号

K4110

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6

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI)

数据手册

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生产厂商

TOSHIBA

K4110数据手册规格书PDF详情

Switching Regulator Applications

• Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.9 Ω (typ.)

• High forward transfer admittance: |Yfs| = 5.0 S (typ.)

• Low leakage current: IDSS = 100 μA (VDS = 600 V)

• Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

更新时间:2026-2-16 9:03:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
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原装现货假一罚十