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K1117中文资料

厂家型号

K1117

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功能描述

Silicon N-Channel MOS Field Effect Transistor (MOS II.I)

数据手册

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生产厂商

TOSHIBA

K1117数据手册规格书PDF详情

high-speed, high-current switching

○ For switching regulators

.

Low on-resistance. : RDS (ON)=0.95Ω (typical)

High forward transmission admittance.

| Y's|=4.0S (Standard)

Ipss=300A (max) (VDs=600V)

Low leakage current.

Easy to handle, enhancement type.

: Vth=1.5~3.5V(Vps=10V, Ip=1mA)

更新时间:2024-3-26 15:06:00
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