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HN7G06FE中文资料

厂家型号

HN7G06FE

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73

功能描述

Bipolar Small-Signal Transistors

两极晶体管 - BJT Vceo=-12V Vceo=50V Ic=-400mA IC=100mA

数据手册

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生产厂商

TOSHIBA

HN7G06FE数据手册规格书PDF详情

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F

Toshiba 30F126 GT30F126

Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html

Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131)

: http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

HN7G06FE产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HN7G06FE

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT Vceo=-12V Vceo=50V Ic=-400mA IC=100mA

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-2-28 18:13:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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