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Voltage Resonance Inverter Switching Application
• Enhancement mode type
• High speed : tf = 0.09 μs (typ.) (IC = 60 A)
• Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.3 V (typ.) (IC = 60 A)
• FRD included between emitter and collector
• TO-3P(LH) (Toshiba package name)
GT60M323产品属性
- 类型
描述
- 型号
GT60M323
- 制造商
TOSHIBA
- 制造商全称
Toshiba Semiconductor
- 功能描述
Silicon N Channel IGBT Voltage Resonance Inverter Switching Application
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