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厂家型号	2SK4106
文件大小	181.8Kbytes
页面数量	6页
功能描述	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI)
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	TOSHIBA

Switching Regulator Applications

• Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.4 Ω (typ.)

• High forward transfer admittance: |Yfs| = 8.5 S (typ.)

• Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V)

• Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

2SK4106供应商...

更新时间：2025-11-24 18:56:00

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