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2SK3563中文资料

厂家型号

2SK3563

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348.59Kbytes

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3

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOS4)

MOSFET N-Ch 500V 5A Rdson 1.5 Ohm

数据手册

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生产厂商

TOSHIBA

2SK3563数据手册规格书PDF详情

Switching Regulator Applications

• Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.35 Ω (typ.)

• High forward transfer admittance: |Yfs| = 3.5 S (typ.)

• Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V)

• Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

2SK3563产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SK3563

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 500V 5A Rdson 1.5 Ohm

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-3 16:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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