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厂家型号	2SK3130
文件大小	203.88Kbytes
页面数量	6页
功能描述	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (?-MOSV) Silicon N Channel MOS Type
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	TOSHIBA

Switching Regulator Applications

• Reverse-recovery time: trr = 85 ns

• Built-in high-speed flywheel diode

• Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.12 Ω (typ.)

• High forward transfer admittance: |Yfs| = 5.0 S (typ.)

• Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 600 V)

• Enhancement model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

2SK3130供应商...

更新时间：2026-2-20 9:29:00

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