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厂家型号	2SK2057
文件大小	74.3Kbytes
页面数量	2页
功能描述	Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	TOSHIBA

Field Effect Transistor

Silicon N Channel MOS Type (π-MOS IV)

High Speed, High Current Switching Applications

Features

● Low Drain-Source ON Resistance

- RDS(ON) = 0.24Ω (Typ.)

● High Forward Transfer Amittnace

-|Yfs| = 15S (Typ.)

● Low Leakage Current

- IDSS = -100μA (Max.)(VDS = 500V)

● Enhancement-Mode

- Vth = 2.0 ~ 4.0V (VDS = -10V, ID = 1mA)

2SK2057供应商...

更新时间：2026-2-18 16:36:00

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