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2SJ412中文资料

厂家型号

2SJ412

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1582.74Kbytes

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73

功能描述

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSFET P-Ch 100V 16A Rdson 0.21 Ohm

数据手册

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生产厂商

TOSHIBA

2SJ412数据手册规格书PDF详情

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F

Toshiba 30F126 GT30F126

Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html

Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131)

: http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

2SJ412产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ412

  • 功能描述

    MOSFET P-Ch 100V 16A Rdson 0.21 Ohm

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-11 17:06:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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TOSHIBA/东芝
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TOSHIBA/东芝
24+
TO-263
60000
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