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2SD1407A中文资料

厂家型号

2SD1407A

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4

功能描述

Power Amplifier Applications

两极晶体管 - BJT NPN 100V 5A Transistor

数据手册

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生产厂商

TOSHIBA

2SD1407A数据手册规格书PDF详情

Power Amplifier Applications

• High breakdown voltage: VCEO = 100 V

• Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 2.0 V (max)

• Complementary to 2SB1016A

2SD1407A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD1407A

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN 100V 5A Transistor

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-11-1 17:46:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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