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CSD17312Q5.B中文资料

厂家型号

CSD17312Q5.B

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10

功能描述

30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

TI2

CSD17312Q5.B数据手册规格书PDF详情

1FEATURES

2• Optimized for 5V Gate Drive

• Ultra Low Qg and Qgd

• Low Thermal Resistance

• Avalanche Rated

• Pb Free Terminal Plating

• RoHS Compliant

• Halogen Free

• SON 5-mm × 6-mm Plastic Package

APPLICATIONS

• Notebook Point-of-Load

• Point-of-Load Synchronous Buck in

Networking, Telecom and Computing Systems

DESCRIPTION

The NexFET™ power MOSFET has been designed

to minimize losses in power conversion applications

and optimized for 5V gate drive applications.

更新时间:2025-10-16 15:00:00
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