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CSD17309Q3T中文资料

厂家型号

CSD17309Q3T

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功能描述

CSD17309Q3 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

TI2

CSD17309Q3T数据手册规格书PDF详情

1 Features

1• Optimized for 5 V Gate Drive

• Ultra-Low Qg and Qgd

• Low Thermal Resistance

• Avalanche Rated

• Pb Free Terminal Plating

• RoHS Compliant

• Halogen Free

• SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package

2 Applications

• Notebook Point of Load

• Point of Load Synchronous Buck in Networking,

Telecom, and Computing Systems

3 Description

This 30 V, 4.2 mΩ NexFET™ power MOSFET is

designed to minimize losses in power conversion

applications and optimized for 5 V gate drive

applications.

更新时间:2025-10-16 15:11:00
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