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CSD16322Q5.B中文资料

厂家型号

CSD16322Q5.B

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12

功能描述

N-Channel NexFET™ Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

TI2

CSD16322Q5.B数据手册规格书PDF详情

1 Features

• Optimized for 5 V Gate Drive

• Ultralow Qg and Qgd

• Low Thermal Resistance

• Avalanche Rated

• Pb Free Terminal Plating

• RoHS Compliant

• Halogen Free

• SON 5-mm × 6-mm Plastic Package

2 Applications

• Point-of-Load Synchronous Buck in Networking,

Telecom and Computing Systems

• Synchronous or Control FET Applications

3 Description

The NexFET™ power MOSFET has been designed to

minimize losses in power conversion applications and

optimized for 5 V gate drive applications.

更新时间:2025-10-4 8:03:00
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