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ULN2003APWE4中文资料

厂家型号

ULN2003APWE4

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1227.49Kbytes

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28

功能描述

HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYS

达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays

数据手册

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生产厂商

TI1

ULN2003APWE4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ULN2003APWE4

  • 功能描述

    达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-10-12 12:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI
25+
TSSOP
18000
原厂直接发货进口原装
TI/BB
19+
面谈
6000
TSSOP16
TI
25+
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3675
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22+
16TSSOP
9000
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TI(德州仪器)
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7350
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2024+
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16000
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